Integrierte Bauelemente

Zusammenfassung

Als elektrisch inaktives Trägermaterial für die Herstellung von integrierten Bauelementen steht Galliumarsenid mit einem spezifischen Widerstand bis ca. 10⁸ Ωcm zur Verfügung. Hochohmiges Galliumarsenid kann nach folgenden Verfahren hergestellt werden:

• 1. Durch Einbau von Akzeptoren mit hoher Ionisierungsenergie (Chrom, Eisen), wobei die Konzentration N _AA dieser tiefliegenden Akzeptoren diejenige der unkompensierten Donatorverunreinigungen (meist Silizium) übertreffen muß, d.h. N _AA > N _D − N _A (siehe Abb. 2.9a).

• 2. Durch Einbau von Donatoren mit hoher Ionisierungsenergie (Sauerstoff), wenn es dabei gleichzeitig gelingt, die Konzentration der Donatoren geringer Ionisierungsenergie (Silizium) soweit herabzudrücken, daß ein Überschuß an flachen Akzeptoren (vermutlich thermisch erzeugte Leerstellen) entsteht. Die Bedingung für das Auftreten hochohmigen Materials lautet in diesem Falle N _DD > N _A − N _D (N _DD = Konzentration tiefliegender Donatoren, siehe Abb. 2.9b).