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Elektronentransfer- (Gunn-Effekt-) Bauelemente

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Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente

Part of the book series: Technische Physik in Einzeldarstellungen ((TECHNISCHEPHYSI,volume 16))

  • 37 Accesses

Zusammenfassung

Der in Kap. 3.3 beschriebene Mechanismus des Elektronentransfers von einem Leitungsbandminimum hoher Beweglichkeit in ein Minimum niedriger Beweglichkeit führt zu einer Abhängigkeit der effektiven Driftgeschwindigkeit der Elektronen von der örtlichen Feldstärke gemäß Abb. 11.1*. In dem Bereich mit dυdr/dF < 0 ist Mikrowellenerzeugung und -Verstärkung möglich. Da es sich hierbei um einen Volumeneffekt handelt, besteht die Aufgabe bei der Technologie von Elektronentransfer-Bauelementen im wesentlichen darin, geeignetes n-Material herzustellen und mit ohmschen Kontakten zu versehen. Die Dotierung und die Probenabmessungen sind der Frequenz und der Betriebsart entsprechend zu wählen.

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Authors and Affiliations

  1. Institut für Halbleitertechnik, Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen, Deutschland

    Dr. phil. nat Waldemar von Münch (Professor)

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  1. Dr. phil. nat Waldemar von Münch
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© 1969 Springer Verlag Berlin Heidelberg

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von Münch, W. (1969). Elektronentransfer- (Gunn-Effekt-) Bauelemente. In: Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente. Technische Physik in Einzeldarstellungen, vol 16. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-88371-2_11

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