Zusammenfassung
Als Photoleitung wird die durch elektromagnetische Strahlung erzeugte Änderung der Leitfähigkeit eines elektrischen Wider standes bezeichnet, die auf eine direkte Wechselwirkung der Photonen mit den Ladungsträgern zurückzuführen ist und nicht auf eine Erhöhung der Gittertemperatur. Bei solch einem Wechselwirkungsprozeß wird allgemein durch Absorption eines Photons ein Ladungsträger aus einem Energiezustand mit niedriger Beweglichkeit in einen solchen mit größerer Beweglichkeit angeregt. Entsprechend der Natur der beteiligten Energiezustände wird die Photoleitung als extrinsisch, intrinsisch oder auf Intrabandanregungen zurückgehend klassifiziert und hier in drei Unterkapiteln behandelt. Die Messung der Photoleitfähigkeit kann als Spannungsänderung bei eingeprägtem Strom oder als Stromänderung bei konstanter Spannung am Photowiderstand erfolgen und wird entsprechend in V/W oder A/W angegeben (Abschnitt 2.2). Eine weitere Möglichkeit besteht in der Messung der Verluste in einem Mikrowellen-Hohlleitersystem, in dem ein Photowiderstand plaziert ist.
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Literatur zu Kapitel 4
Müller, R. : Rauschen. Halbleiter-Elektronik, Bd. 15. Berlin, Heidelberg, New York: Springer 1979
Long, D.; Schmit, J.L.: Mercury-cadmium telluride and closely related alloys. In: Willardson, R.K.; Beer, A.C. (eds.): Semiconductors and semimetals, Vol. 5. New York: Academic Press 1970, S. 175–255
Downey, R.M. ; Auston, D.H..; Schmit, P.R.: Picosecond correlation measurements of indium phosphide photocon ductors. Appl. Phys. Lett. 42 (1983) 215–217
Chen, C.Y.; Kasper, B.L.; Cox, H.M.: High-sensitivity GaO.53InO.47As photoconductive detectors prepared by vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 1142–1144
Melngailis, I.; Harman, T.C.: Single-crystal lead-tin chalcogenides. In: Willardson, R.K.; Beer, A.C. (eds.): Semiconductors and Semimetals, Vol. 5. New York: Academic Press 1970, S. 111–174
Milton, A.F.; Blouke, M.M.: Sweepout and dielectric re laxation in compensated extrinsic photoconductors. Phys. Rev. B3 (1971) 4312–4330
Paul, R.: Halbleiterphysik. Berlin: VEB Verlag Technik 1974
Levinstein, H.: Extrinsic detectors. Applied Optics 4 (1965) 639–647
Stillman, G.E.; Wolfe, C.M.; Dimmock, J.O.: Far-infrared photoconductivity in high purity GaA’s. In: Willardson, R.K.; Beer, A.C. (eds.): Semiconductors and semimetals, Vol. 12. New York: Academic Press 1977, S. 169–290
Kogan, Sh.M.: A photoconductivity theory based on variations of carrier mobility. Sov. Phys. Solid State 4 (1963) 1386–1389
Putley, E.H.: InSb submillimeter photoconductive detectors. In: Willardson, R.K.; Beer, A.C. (eds.): Semiconductors and semimetals, Vol. 12. New York: Academic Press 1977, S. 143–168
Lasers and Applications, Nov. 1984, S. 65–71
Sommers, H.S. Jr.; Gatchell, E.K.: Demodulation of lowlevel broad-band optical signals with semiconductors. Proc. IEEE 54 (1966) 1553–1568
Bratt, P.; Engeler, W.; Levinstein, H.; McRae, A.; Pehek, J.: A status report on infrared detectors. Infrared Phvs. 1 (1961) 27–38
Morten, F.D.; King, R.E.J.: Photoconductive indium antimonide detectors. Applied Optics 4 (1965) 659–663
Humphrey, J.N.: Optimum utilization of lead sulfide infrared detectors under diverse operating conditions. Applied Optics 4 (1965) 665–675
Bartlett, B.; Charlton, B.; Dunn, W.; Ellen, P.; Jenner, M.; Jervis, M.: Background limited HgCdTe detectors for use in the 8–14 µm atmospheric windows. Infrared Phys. 9 (1969) 35–36
Sclar, N.: Survey of dopants in silicon for 2–2.7 and 3–5 µm infrared detector application. Infrared Phys. 17 (1977) 71–82
Sclar, N.: Extrinsic silicon detectors for 3–5 and 8–14 µm. Infrared Phys. 16 (1976) 435–448
Soref, R.: Extrinsic ir photoconductivity of Si doped with B, Al, Ga, P, As or Sb. J. Appl. Phys. 38 (1967) 5201–5209
Shenker, H.; Moore, W.J.; Swiggard, E.M.: Infrared photoconductive characteristics of boron-doped germanium. J. Appl. Phys. 35 (1964) 2965–2970
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Trommer, R. (1986). Photoleiter. In: Optoelektronik II. Halbleiter-Elektronik, vol 11. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-82640-5_4
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