Zusammenfassung
Die in der Siliziumtechnologie verwendeten Schichten (s. Kap. 3) müssen auf den Siliziumscheiben in eine Vielzahl von einzelnen Bereichen, z.B. Leiterbahnen unterteilt werden. Diese Strukturierung erfolgt heute fast durchweg mit Hilfe der lithographischen Technik (Abb. 4.1). Das wesentliche Merkmal dieser Technik ist eine strahlungsempfindliche Resistschicht, die in den gewünschten Bereichen so bestrahlt wird, daß in einem geeigneten Entwickler nur die bestrahlten (oder unbestrahlten) Bereiche entfernt werden. Das so entstehende Resistmuster dient dann als Maske bei einem darauffolgenden Prozeßschritt, z.B. bei einer Ätzung oder einer Ionenimplantation. Schließlich wird die Resistmaske wieder abgelöst. Die Resistmaske übt somit nur eine vorübergehende Funktion aus, ist also nicht Bestandteil der Integrierten Schaltung (Ausnahme s. Abb. 3.12.1 c).
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Widmann, D., Mader, H., Friedrich, H. (1996). Lithographie. In: Technologie hochintegrierter Schaltungen. Halbleiter-Elektronik, vol 19. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-61415-6_4
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