Zusammenfassung
Dünne nichtleitende amorphe Schichten werden in der Mikroelektronik unter anderem eingesetzt als:
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Isolationsschichten für Leiterbahnkreuzungen,
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dielektrische Füllungen für Metall-Isolator-Metall (MIM) Kondensatoren,
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Gate-Isolationsschicht in Feldeffekttransistoren
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zur Passivierung von Halbleiteroberflächen und
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zur strukturierten Abdeckung von Halbleiteroberflächen für die selektive Epitaxie oder Dotierung.
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© 1997 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
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Prost, W. (1997). Abscheidung und Charakterisierung dielektrischer Schichten. In: Technologie der III/V-Halbleiter. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_6
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