Advertisement

Halbleiter-Materialsysteme

  • Werner Prost
Chapter

Zusammenfassung

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit durch die Temperatur in weiten Grenzen veränderbar ist. Bei T = 0 K besitzt sie keine Leitfähigkeit (Isolator) während bei hohen Temperaturen eine quasi metallische Leitfähigkeit eintritt. Im elektronischen Bild des Energiebandmodells läßt sich dies über den Bandabstand Wg darstellen. Beim idealen Isolator ist das Valenzband das höchste vollständig mit Elektronen aufgefüllte Band.

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literatur

  1. Adachi S.: GaAs, AlAs and Alx Ga1-xAs: Material parameters for use in research and device application. J. Appl. Phys. 58 (3), R1–R29 (1985)CrossRefGoogle Scholar
  2. Anderson R.L.: Experiments on Ge-GaAs heterojunctions. Solid-State Electronics, 5, pp. 341–351, 1962CrossRefGoogle Scholar
  3. Beneking H.: Halbleitertechnologie. Teubner, Stuttgart, 1991.Google Scholar
  4. Heime K.: Festkörperelektronik. Vorlesungsmanuskript, Universität-GH-Duisburg, 1987Google Scholar
  5. Kittel C.: Einführung in die Festkörperphysik. Oldenburg, München, Wien 1973Google Scholar
  6. Kraus, J.: Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von pseudomorphen InyGa1-yAs-Kanalschichtcn für die Anwendung in Submikron-Heterostruktur-Feldeffekttran-sistoren. Dissertation, Gerhard-Mercator-Universität GH Duisburg, 1994Google Scholar
  7. Matthews J.W., Blakeslee, A.E.: Defects in Epitaxial Multilayers. J. Crystal Growth. 27 (1974) 118–125Google Scholar
  8. Milnes A.G.: Semiconductor Heterojunction Topics: Introduction and Overview. Solid State Electronics, Vol. 29, No. 2 pp. 99–121, 1986MathSciNetCrossRefGoogle Scholar
  9. Orders P.J., Usher B.F.: Determination of Critical Layer Thickness in Inx Ga1-xAs/GaAs Heterostructures by X-Ray Diffraction. Appl. Phys. Lett., 50 (15), 980–982 (1987)CrossRefGoogle Scholar
  10. People R. Bean J.C.: Calculation of Critical Layer Thickness versus Lattice Mismatch for GexSi1-x/Si Strainend-Layer Heterostructures. Appt. Phys Lett., 47(3), 322–324 (1985), Erratum: Appl. Phys Lett., 49(4), 299 (1986)Google Scholar
  11. Ruge I.: Halbleitertechnologie, Halbleiterelektronik Bd. 4. Springer, Berlin 1984Google Scholar
  12. Salow H., Beneking H., Münch W.v.: Der Transistor. Springer, Berlin 1963Google Scholar
  13. Tiwari, S., Frank, D.: Empirical fit to band discontinuities and barrier heights in III-V alloy systems. Appl. Phys. Lett., Vol. 60, 5, pp. 630–632, 1992CrossRefGoogle Scholar
  14. Welker H.: Ober neue halbleitende Verbindungen. Zs. für Naturforschung 7a, 744–749 (1952)Google Scholar

Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1997

Authors and Affiliations

  • Werner Prost
    • 1
  1. 1.Fachbereich ElektrotechnikGerhard-Mercator-UniversitätDuisbergDeutschland

Personalised recommendations