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Montage-und Kontaktiertechnologien

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Zusammenfassung

Der konventionelle technologische Aufbau von elektronischen Schaltungen mit ungehäusten Halbleiterchips erfolgt mit dem Die-und Drahtbonden (Chip and Wire). Die Halbleiterchips werden auf dem Substratträger montiert und anschließend die Anschlußpads mittels Drahtbonden kontaktiert. Für die Chip-Montage werden das Kleben (Ag-Epoxy), das eutektische Bonden (Au/Si), das Löten (PbSn60, In) sowie das Verkleben mit PE-Folie eingesetzt, wobei das Befestigen durch Löttechniken ausschließlich im Leistungshalbleiterbereich genutzt wird. Das Drahtbonden erfolgt entweder mittels Ultraschallbonden (Al-Draht) oder Thermosonicbonden (Au-Draht). Auf Grund des Bondens bei Raumtemperatur mit Al-Draht hat das US-Bonden (Wedge/Wedge-Bonding) gegenüber dem TSBonden (Ball/Wedge-Bonding) mit Au-Draht technologische Vorteile. Jedoch ist die Produktivität des TS- Ball/Wedge- Bondens gegenüber dem US-Bonden 3… 4 mal so hoch. Die Wire- Bond-Technik wird als Kontaktierungstechnik weiterentwickelt und erschließt auch bei 50… 60 µm I/O Pitch und >1000 I/O’s (20 mm x 20 mm Chip) Anwendungsfelder. Der grundsätzliche Ablauf bei der Chip and Wire - Technik ist in Abb. 3.1 dargestellt.
Abb. 3.1

Genereller Ablauf bei der Chip and Wire - Technik

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Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1998

Authors and Affiliations

  1. 1.Fraunhofer Institut für Zuverlässigkeit und MikrointegrationBerlinGermany

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