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Zener- und Lawinen-Diode (Z-Diode)

  • Chapter
Signalverarbeitende Dioden

Part of the book series: Halbleiter-Elektronik ((HALBLEITER,volume 8))

  • 147 Accesses

Zusammenfassung

Bei den bisher behandelten Dioden sind Durchbruchsphänomene im Halbleiter nur als Störung der beabsichtigten physikalischen Wirkung in Erscheinung getreten. In der Familie der majoritätsträgerbestimmten Bauelemente treten jedoch auch Diodenstrukturen auf, die Durchbruchsmechanismen voraussetzen, z.B. Zener-, Lawinen-, IMPATT-, Tunnel-Diode (Bild 1.1).

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Literatur zu Kapitel 7

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Authors and Affiliations

  1. Siemens AG, München, Deutschland

    Dr. rer. nat. Günther Kesel (Wissenschaftlicher Hauptreferent) & Dipl.-Phys. Jürgen Hammerschmitt (Vertriebsleiter Mikrowellenhalbleiter)

  2. Lehrstuhl für Technische Elektronik, Technischen Universität, München, Deutschland

    Dipl.-Ing. Eckhard Lange (Oberingenieur)

Authors
  1. Dr. rer. nat. Günther Kesel
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  2. Dipl.-Phys. Jürgen Hammerschmitt
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  3. Dipl.-Ing. Eckhard Lange
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© 1982 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg

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Kesel, G., Hammerschmitt, J., Lange, E. (1982). Zener- und Lawinen-Diode (Z-Diode). In: Signalverarbeitende Dioden. Halbleiter-Elektronik, vol 8. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-45531-5_7

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-45531-5_7

  • Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg

  • Print ISBN: 978-3-540-11144-3

  • Online ISBN: 978-3-642-45531-5

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