Zusammenfassung
Bei der pin-Diode steht das „i“ für intrinsisch. Intrinsische Dotierungen (Dotierung im Bereich < 1010 cm− 3) lassen sich technologisch jedoch nicht erreichen, sodass man in der Praxis eine schwache p− – oder n- – Dotierung erhalten wird. Diese ist gegenüber denen in den Außenzonen um mehrere Größenordnungen niedriger (n-, p−), weswegen sich dennoch die Bezeichnung „i“ eingebürgert hat. Heute werden nur Mittelgebiete vom n- Typ realisiert, was hauptsächlich auf das Ausschaltverhalten der damit realisierten Dioden zurückzuführen ist. Das sog. „i“-Gebiet ist in Wirklichkeit meist ein n- – Gebiet.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Notes
- 1.
Strenggenommen muss zwischen dem Gleichstromverstärkungsfaktor \(A={{I}_{C}}/{{I}_{E}}\) und dem Kleinsignalverstärkungsfaktor \( \alpha ={\Delta {{I}_{C}}}/{\Delta {{I}_{E}}} \) unterschieden werden. Dasselbe gilt für β. Dies ist in dieser vereinfachten Behandlung vernachlässigt.
Author information
Authors and Affiliations
Corresponding author
Rights and permissions
Copyright information
© 2012 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
About this chapter
Cite this chapter
Lutz, J. (2012). Halbleiterbauelemente. In: Halbleiter-Leistungsbauelemente. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-29796-0_3
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-29796-0_3
Published:
Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg
Print ISBN: 978-3-642-29795-3
Online ISBN: 978-3-642-29796-0
eBook Packages: Computer Science and Engineering (German Language)