Zusammenfassung
Lichterzeugung in einem Halbleitermaterial mit direktem Bandübergang geschieht in einfachster Weise in einem in Flußrichtung gepolten,einseitig abrupten n+p-Übergang (s. Bild 3.1). Dabei werden Elektronen durch Diffusion von der n+-Seite in den aktiven p-Bereich injiziert (die Löcherinjektion in den n+- Bereich kann vernachlässigt werden). Die Minoritätsträger (n) rekombinieren strahlend in der aktiven p-Zone mit den dort vorhandenen Löchern nach Maßgabe der Lebensdauer.
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Literatur
Nelson, R. J.; Sobers, R. G.: Minority-carrier lifetime and internal quantum efficiency of surface-free GaAs. Appl. Phys. 49 (1978) 6103–6108
Namizaki, H.; Kan, H.; Ishii, M.; Ito, A.: Current dependence of spontaneous carrier lifetimes in GaAs-GaA1As double-heterostructure lasers. Appl. Phys. Lett. 24 (1974) 486–487
Oomura, E.; Susaki, W.; Ikeda, K.; Ishii, M.: Gain spectra in single mode oscillating (A1Ga)As TJS lasers. Japan. J. Appl. Phys. 17 (1978) 953–954
Hirose, S.; Pietzsch, J.; Kamata, N.; Kamiya, T.: Measurement of carrier density dependent lifetime in InGaAsP/InP dh crystals. Inst. Phys. Conf. Ser. 65, Proc. of the Int. Symp. GaAs and related Compounds, Albuquerque, 1982, 573–580
Kamata, N.; Hirose, S.; Kamiya, T.: Carrier dependent lifetime and output nonlinearity of InGaAsP LED’s. Japan. J. Appl. Phys. 22 (1983) 311–314
Harth, W.: Power output and rise time of light emitting diodes. AEI) 30 (1976) 99–100
Harth, W.: Influence of bias current on the modulation behaviour of GaAs-GaA1As LEDs. AEÜ 35 (1981) 373–376
Heinen, J.; Huber, W.; Harth, W.: Light-emitting diodes with a modulation bandwidth of more than 1 GHz. Electron. Lett. 12 (1976) 553–554
Heinen, J.; Westermeier, H.; Harth, W.; Zschauer, K. H.: Proton bombarded GaA1AS/GaAs light emitting diodes. IEEE Trans.Electron Dev. ED-23 (1976) 1186–1187
Bleicher,M.: Halbleiter-Optoelektronik. Heidelberg: Dr. Alfred Hüthig Verlag 1976
Davies, I.G.A.; Goodwin, A.R.;Kirkby, P.A.; Murison, R.F.: Optical fiber technology semiconductor light sources. Electr. Comm. 56 (1981) 338–348
Grothe, H.; Proebster, W.; Harth, W.: Mg-doped InGaAsP/InP LEDs for high-bit-rate optical-communication systems. Electron. Lett. 15 (1979) 702–703
Grothe, H.; Müller, G.; Harth, W.; Proebster, W.: 560 Mbit/s transmission experiment using 1.3 pm InGaAsP/InP LED. Electron. Lett. 19 (1983) 909–911
Grothe, H.; Proebster, W.: Influence of Mg-doping on cutoff-frequency and lightoutput of InGaAsP/InP LEDs. IEEE Trans. Electron Dev. ED-28 (1981) 371–373
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© 1984 B. G. Teubner Stuttgart
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Harth, W., Grothe, H. (1984). LEDs. In: Sende- und Empfangsdioden für die Optische Nachrichtentechnik. Teubner Studienbücher Physik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-94920-2_3
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Online ISBN: 978-3-322-94920-2
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