Zusammenfassung
Bringt man nach Bild 1 neutrales n- und p-Silizium zusammen, so diffundieren über den „pn-Über-gang“ (junction) Löcher in die n-Zone und Elektronen in die p-Zone (Ausgleichsbestreben). Durch den Zufluß von Löchern bzw. den Abfluß von Elektronen ergibt sich eine Potentialanhebung der n-Zone gegenüber der p-Zone. Die entstehende „Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung UD über einem an freien Ladungsträgern verarmten Übergangsgebiet, der sog. Sperrschicht. Versehen mit beiderseitigen Metallkontakten entsteht eine Diode1).
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literatur
Bystron, K. und Borgmeyer, J.: Grundlagen der Technischen Elektronik, 2. Auflage, Carl Hanser Verlag, München 1990.
Hering, E., Bressler, K. und Gutekunst, J.: Elektronik für Ingenieure, 3. Auflage, Springer-Verlag, Berlin 1998.
Paul R.: Elektronische Halbleiterbauelemente, 3. Auflage, Teubner-Verlag, Stuttgart 1992.
Paul, R. (Hrsg.): Handbuch der Informationstechnik und Elektronik, Bd. 6/1, Diskrete Halbleiterbauelemente, Hüthig-Verlag, Heidelberg 1989.
Reisch, M.: Elektronische Bauelemente, Springer-Verlag, Berlin 1998.
Reuber, C. (Hrsg.): Handbuch der Informationstechnik und Elektronik, Bd. 8, Sensoren und Wandlerbauelemente, Hüthig-Verlag, Heidelberg 1989.
Rights and permissions
Copyright information
© 2001 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden
About this chapter
Cite this chapter
Böhmer, E. (2001). Halbleiterdioden. In: Elemente der angewandten Elektronik. Elemente der angewandten Elektronik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-92803-0_4
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-92803-0_4
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-528-24090-5
Online ISBN: 978-3-322-92803-0
eBook Packages: Springer Book Archive