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Rekombinationsprozesse

  • Chapter
Sende- und Empfangsdioden für die Optische Nachrichtentechnik

  • 146 Accesses

Zusammenfassung

Wird ein p-Typ Halbleiter (Dotierung NA = Po; Po ist die Löcherdichte) homogen durch Lichteinstrahlung (hf > Wg) angeregt (Bild 3.1), so gilt für die erzeugten Überschuß-Minoritätsträger der Dichte n die Kontinuitätsgleichung

$$\frac{{dn}}{{dt}} = G - R$$
(3.1)

.

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Literatur

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Authors and Affiliations

  1. Technische Universität München, München, Deutschland

    Professor Dr. rer. nat. Wolfgang Harth & Akad. Direktor Dr.-Ing. Helmut Grothe

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  1. Professor Dr. rer. nat. Wolfgang Harth
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  2. Akad. Direktor Dr.-Ing. Helmut Grothe
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© 1998 Springer Fachmedien Wiesbaden

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Harth, W., Grothe, H. (1998). Rekombinationsprozesse. In: Sende- und Empfangsdioden für die Optische Nachrichtentechnik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-92779-8_3

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-92779-8_3

  • Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden

  • Print ISBN: 978-3-519-06257-8

  • Online ISBN: 978-3-322-92779-8

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