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Leistungstransistoren und Leistungsschaltungen

  • Erwin Böhmer
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Zusammenfassung

Leistungstransistoren sind ausgelegt für relativ große Ströme und Verlustleistungen (> 10 W). Ihr „thermischer Innenwiderstand“ ist kleiner als 15 K/W. Die dem Transistor zugeführte und in Wärme umgesetzte (Verlust-)Leistung P muß notfalls über einen Kühlkörper nach außen so abgeleitet werden, daß eine übermäßige Erwärmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur Tj höchstens auf 75...90 °C ansteigen, bei Si-Transistoren auf 150...200 °C. Im stationären Zustand gilt fur die „totale“ Verlustleistung eines Bipolartransistors:
$$ {{P}_{tot}}={{U}_{CE}}\cdot {{I}_{C}}+{{U}_{BE}}\cdot {{I}_{B}}\approx {{U}_{CE}}\cdot {{I}_{C}} $$
(1)
.
$$ Damit erh\ddot{a}lt man: {{T}_{j}}={{P}_{tot}}\cdot {{R}_{thJU}}+{{T}_{U}} $$
(2)
für die Temperatur der besonders beanspruchten Kollektor-Basis-Sperrschicht.

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Copyright information

© Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden 1992

Authors and Affiliations

  • Erwin Böhmer
    • 1
  1. 1.SiegenDeutschland

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