Ursachen für den Einfluß dritter Elemente auf die Wachstumskinetik der feinlamellaren diskontinuierlichen Ausscheidung in α-Cu-In- und α-Cu-Sb-Mischkristallen

Zusammenfassung

Das durch eine Dotierung mit Drittelementen geänderte Ausscheidungsverhalten binärer Mischkristalle kann in einer Änderung der thermodynamischen Eigenschaften des binären Systems und einer geänderten Keimbildungs- und Wachstumskinetik begründet sein. Bei den thermodynamischen Einflüssen ist zwischen Volumeneffekten, die erst bei stärkeren Dotierungen (≳ 1 At.-% X) auftreten sollten, und Grenzflächeneffekten zu unterscheiden. Die Grenzflächeneffekte können sich bereits bei wesentlich kleineren Dotierungen bemerkbar machen. Durch zulegierte Drittelemente kann die spezifische Grenzflächenenergie sowohl der α-β- als auch der α-α_o-Grenzfläche (vgl. Bild 2.1) geändert werden. Dadurch werden der Wert von ΔG_σ (Gleichung (2.17)) und — wie in Abschnitt 18.3 dargelegt wird — die Aktivierungsenthalpie der Grenzflächendiffusion geändert.