Zusammenfassung
Bringt man nach Bild 1 neutrales n- und p-Silizium zusammen, so diffundieren über den „pn-Übergang“(engl. junction) Löcher in die n-Zone und Elektronen in die p-Zone (Ausgleichsbestreben). Durch den Zufluß von Löchern bzw. den Abfluß von Elektronen ergibt sich eine Potentialanhebung der n-Zone gegenüber der p-Zone. Die entstehende „Potentialschwelle“wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung UD über einem an freien Ladungsträgern verarmten Übergangsgebiet, der sog. Sperrschicht. Versehen mit beiderseitigen Metallkontakten, entsteht eine Diode1).
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Literatur zu Kapitel 3
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Böhmer, E. (1986). Halbleiterdioden. In: Elemente der angewandten Elektronik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-86474-1_4
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