Zusammenfassung
Die Kennlinien eines Sperrschicht-FETs (JFET) lassen sich näherungsweise wie folgt darstellen (2-Parameterdarstellung):
-
a)
Man stelle für den Abschnürbereich tabellarisch den Drainstrom ID = f(UGS) sowie die zugehörige Sättigungsspannung UDS sat dar.
-
b)
Man zeichne die Übertragungskennlinie ID = f(UGS) für den Abschnürbereich sowie ihre Tangente an der Stelle UGS = 0.
-
c)
Man berechne für den ohmschen Bereich den Strom ID = f(UDS) mit UGS als Parameter.
-
d)
Man zeichne die vollständigen ID-UDS-Kennlinien (Ausgangskennlinien).
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© 1993 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig/Wiesbaden
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Böhmer, E. (1993). Feldeffekttransistoren. In: Rechenübungen zur angewandten Elektronik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-86182-5_5
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-86182-5_5
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-528-34189-3
Online ISBN: 978-3-322-86182-5
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