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Part of the book series: Lehr- und Handbücher der Ingenieurwissenschaften ((LHI,volume 26))

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Zusammenfassung

Das Niederstrom-Modell soll den folgenden bekannten Voraussetzungen entsprechen [17,41] :

  1. 2.1

    Geometrisch eindimensionaler p-n-Über gang mit Querschnitt A (Träger bewegung nur parallel zur x-Achse, keine Oberflächeneffekte);

  2. 2.2

    Der p-n-Übergang kann in eine Raumladungszone (Sperrschicht) und zwei angrenzende quasineutrale Bahngebiete aufgeteilt werden, die sich rechnerisch separat behandeln lassen. Die Bahngebiete sind bedeutend länger als die Sperrschichtdicke;

  3. 2.3

    p-Gebiet bedeutend höher dotiert als n-Gebiet (leitfähigkeitsmässig unsymmetrischer p-n-Übergang);

  4. 2.4

    Dotierung des n-Gebietes

    1. 2.4.1

      exponentiell vom Ort abhängig (konstantes elektrisches Feld eingebaut), oder als Spezialfall

    2. 2.4.2

      homogen (feldfrei);

  5. 2.5

    Störstellenkonzentrationen im p- und n-Gebiet bedeutend grösser als Intrinsic-Konzentration, jedoch kleiner als Entartungskonzentration;

  6. 2.6

    alle Störstellen ionisiert;

  7. 2.7

    Auch bei Stromfluss bleibt das Boltzmann-Gleichgewicht zwischen Diffusions- und Feldströmen in der Raumladungszone annähernd erhalten;

  8. 2.8

    Rekombinations- und Neuerzeugungsvorgänge in der Sperrschicht vernachlässigbar; keine Durchbruchseffekte;

  9. 2.8

    Minoritätsträgerkonzentration in den Bahngebieten bedeutend kleiner als die Störstellenkonzentration, d. h. Beschränkung des Betriebes auf niedrige Stromdichten [17, 24];

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© 1966 Springer Basel AG

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Wunderlin, W. (1966). Voraussetzungen über das Modell. In: Modelle und Ersatzschaltung von Halbleiterdioden. Lehr- und Handbücher der Ingenieurwissenschaften, vol 26. Birkhäuser, Basel. https://doi.org/10.1007/978-3-0348-4016-3_2

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-0348-4016-3_2

  • Publisher Name: Birkhäuser, Basel

  • Print ISBN: 978-3-7643-0418-8

  • Online ISBN: 978-3-0348-4016-3

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