Zusammenfassung
Das Niederstrom-Modell soll den folgenden bekannten Voraussetzungen entsprechen [17,41] :
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2.1
Geometrisch eindimensionaler p-n-Über gang mit Querschnitt A (Träger bewegung nur parallel zur x-Achse, keine Oberflächeneffekte);
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2.2
Der p-n-Übergang kann in eine Raumladungszone (Sperrschicht) und zwei angrenzende quasineutrale Bahngebiete aufgeteilt werden, die sich rechnerisch separat behandeln lassen. Die Bahngebiete sind bedeutend länger als die Sperrschichtdicke;
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2.3
p-Gebiet bedeutend höher dotiert als n-Gebiet (leitfähigkeitsmässig unsymmetrischer p-n-Übergang);
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2.4
Dotierung des n-Gebietes
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2.4.1
exponentiell vom Ort abhängig (konstantes elektrisches Feld eingebaut), oder als Spezialfall
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2.4.2
homogen (feldfrei);
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2.4.1
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2.5
Störstellenkonzentrationen im p- und n-Gebiet bedeutend grösser als Intrinsic-Konzentration, jedoch kleiner als Entartungskonzentration;
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2.6
alle Störstellen ionisiert;
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2.7
Auch bei Stromfluss bleibt das Boltzmann-Gleichgewicht zwischen Diffusions- und Feldströmen in der Raumladungszone annähernd erhalten;
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2.8
Rekombinations- und Neuerzeugungsvorgänge in der Sperrschicht vernachlässigbar; keine Durchbruchseffekte;
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2.8
Minoritätsträgerkonzentration in den Bahngebieten bedeutend kleiner als die Störstellenkonzentration, d. h. Beschränkung des Betriebes auf niedrige Stromdichten [17, 24];
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Wunderlin, W. (1966). Voraussetzungen über das Modell. In: Modelle und Ersatzschaltung von Halbleiterdioden. Lehr- und Handbücher der Ingenieurwissenschaften, vol 26. Birkhäuser, Basel. https://doi.org/10.1007/978-3-0348-4016-3_2
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Publisher Name: Birkhäuser, Basel
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