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Transistorgrundschaltungen

  • Holger GöbelEmail author
Chapter

Zusammenfassung

Gegenstand dieses Kapitels sind die unterschiedlichen Grundschaltungen für Verstärker mit Bipolar- und Feldeffekttransistor. Im einzelnen werden die Emitter-, Kollektor- und Basisschaltung sowie die Source- Gate- und Drainschaltung untersucht und hinsichtlich ihrer wichtigsten Eigenschaften wie Spannungsverstärkung, Ein- und Ausgangswiderstand verglichen.

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Copyright information

© Springer-Verlag GmbH Deutschland, ein Teil von Springer Nature 2019

Authors and Affiliations

  1. 1.Helmut-Schmidt-Universität / Universität der Bundeswehr HamburgHamburgDeutschland

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