Zusammenfassung
In diesem Kapitel untersuchen wir Übergänge der Elektronen zwischen Valenzund Leitungsband und die damit verbundenen Strahlungsprozesse genauer. Besonders interessant erweisen sich stimulierte Emissionsprozesse. Hierbei werden durch Strahlung Elektronenübergänge von einem hohen Energieniveau auf ein um die Photonenenergie tiefer liegendes Niveau induziert. Das dabei abgestrahlte Photon ist mit der anregenden Strahlung in Phase, und es kann zu einer Verstärkung der Welle kommen. Wir behandeln die Wechselwirkung zwischen Licht und Materie zunächst auf der Basis von Generations- und Rekombinationsprozessen. Hierbei ergeben sich bereits wichtige Beziehungen zwischen Absorption und Lumineszenz sowie Bedingungen für Lichtverstärkung. Eine quantenmechanische Analyse erlaubt dann die Vorhersage der spektralen Form der Absorption oder Verstärkung. Neben massivem Material werden auch Quantenstrukturen diskutiert.
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Literatur
- 8.1Madelung, 0: Grundlagen der Halbleiterphysik. New York: Springer 1970Google Scholar
- 8.2Yariv, A.: Quantum Electronics. 2nd edition. New York: Wiley und Sons 1975Google Scholar
- 8.3S.M. Sze: Physics of Semiconductor Devices. New York: Wiley und Sons 1981Google Scholar
- 8.4Kittel, C.: Einführung in die Festkörperphysik. München: R. Oldenbourg Verlag 1969Google Scholar
- 8.5Gooch, C.H. (Ed.): Gallium Arsenide Lasers. New York: Wiley-Interscience 1969Google Scholar
- 8.6Thompson, G.II.B.: Physics of semiconductor Laser Devices. New York: Wiley-Interscience 1980Google Scholar
- 8.7Casey, II. C.; Panish, M.B.: Heterostructure Lasers. Part A. New York: Academic Press 1978Google Scholar
- 8.8Kressel, II.; Butler, J.K.: Semiconductor Lasers and Helerojunction LEDs. New York: Academic Press 1977Google Scholar
- 8.9Schiff, L.I.: Quantum mechanics. Third edition. Tokyo: McGraw-Hill 1968Google Scholar
- 8.10Ashcroft, N.W.; Mermin, N.D.: Solid State Physics. Tokyo: Holt Saunders 1976Google Scholar
- 8.11Yamada, M.; Suematsu, Y.: Analysis of gain suppression in undoped injection lasers. J. Appl. Phys. 52 (1981) 2653–2664Google Scholar
- 8.12Asada, M.; Kameyarna, A.; Suematsu, Y.: Gain and intervalence band absorption in quantum-well lasers. IEEE J. Quant. Electron. QE-20 (1984) 745–753Google Scholar
- 8.13Asada, M.; Miyamoto, Y.; Suematsu, Y.: Gain and the threshold of three-dimensional quantum-box lasers. IEEE J. Quant. Electron. QE-22 (1986) 1915–1921Google Scholar