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MOS-Feldeffekttransistoren

  • Peter Baumann
Chapter

Zusammenfassung

Beschrieben wird die Extraktion der Modellparameter von N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET aus dem CMOS-Array CA 3600. Einige Parameter wie die Schwellspannung oder die Steilheit lassen sich aus der Übertragungskennlinie gewinnen. Dabei wird der auch der Einfluss der Bulk-Elektrode erfasst. Die Bulk-Drain- und Bulk-Source-Kapazitäten werden über die Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung ermittelt.

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Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature 2019

Authors and Affiliations

  • Peter Baumann
    • 1
  1. 1.Hochschule BremenBremenDeutschland

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