Zusammenfassung
Die Verteilung der Donator- und Akzeptoratome, die zusammen mit der Temperatur die Elektronen- und Defektelektronendichten bestimmt (s. §2C), muß nicht homogen sein, sondern kann völlig willkürlich über das Volumen des Kristalls variieren. Besonders wichtig sind Änderungen, bei denen der Leitungstyp des Kristalls von N- in P-Leitung oder umgekehrt übergeht.
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Literaturverzeichnis zu Kapitel 4
- [1]Shockley, W.: The theory of P-N junctions in semiconductors and P-N junction transistors. Bell Syst. techn. J. 28 (Juli 1949 ) 435–489.Google Scholar
- [2]Kleinknecht, H., u. K. Seiler: Einkristalle und PN-Schichtkristalle aus Silizium. Z. Physik 139 (20. Dez. 1954 ) 599.CrossRefADSGoogle Scholar
- [3]Pell, E. M., and G. M. Roe: Reverse current and carrier lifetime as a function of temperature in germanium junction diodes. J. appl. Phys. 26 (Juni 1955 )Google Scholar
- [4]Sah, C. T., R. N. Noyce, and W. Shockley: Carrier generation and recombination in P-N junctions and P-N junction characteristics. Proc. IRE 45 (Sept. 1957) 1228.CrossRefGoogle Scholar
- [5]Cutler, M., and H. M. Bath: Surface leakage current in silicon fused junction diodes. Proc. IRE 45 (Jan. 1957) 39.CrossRefGoogle Scholar
- [6]Eriksen, W. T., H. Statz, and G. A. Demars: Excess surface current on germanium and silicon diodes. J. appl. Phys. 28 (Jan. 1957) 133.CrossRefADSGoogle Scholar
- [7]Hinweise sind zu finden bei W.Shockley: Electrons and Holes in Semiconductors. Princeton, N.J.: Van Nostrand1950, S. 95ff.; u. E.Spenke: Elektronische Halbleiter. Berlin/Göttingen/Heidelberg: Springer 1956, S.73ff. — Siehe auchM. Cutler: Point contact rectifier theory. IRE Trans, on Electron Devices ED-4(3) (Juli1957) 201.Google Scholar
- [8]Pearson, G. L., W. T. Read, and W. Shockley: Probing the space charge layer in a P-N junction. Phys. Rev. 85 (15. März 1952) 1055.CrossRefADSGoogle Scholar
- [9]Matthei, W. G., and F. A. Brand: On the injection of carriers into a depletion layer. J. appl. Phys. 28 (April 1957) 513.CrossRefADSGoogle Scholar
- [10]Gärtner, W. W.: Design theory for depletion layer transistors. Proc. IRE 45 (Okt. 1957) 1392.CrossRefGoogle Scholar
- [11]In diesem Zusammenhang siehe auch L. J. Giacoletto: Junction capacitance and related characteristics using graded impurity semiconductors. IRE Trans. ED-4 (Juli 1957) 207. — L. S. Greenberg, Z. A. Martowska, and W. W. Happ: A method of determining impurity diffusion coefficients and surface concentrations of drift transistors. IRE Trans. ED-3 (April 1956) 97.Google Scholar
- [12]Giacoletto, L. J., and J. O’Connell: A variable-capacitance germanium junction diode for UHF. RCA Rev. 17 (1956) 68.Google Scholar
- [13]Uhlir, A., Jr.: Two-terminal P-N junction devices for frequency conversion and computation. Proc. IRE 44 (1956) 1183.CrossRefGoogle Scholar
- [14]Uhlir, A., Jr.: The potential of semiconductor diodes in high-frequency communications. Proc. IRE 46 (1958) 1099.CrossRefGoogle Scholar
- [15]Miller, S. L.: Avalanche breakdown in germanium. Phys. Rev. 99 (15. Aug. 1955) 1234.CrossRefADSGoogle Scholar
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