III-N Materials, and the State-of-the-Art of Devices and Circuits

Chapter
Part of the Springer Series in Materials Science book series (SSMATERIALS, volume 96)

Abstract

In the second chapter, general material and transport properties, advantages, and theoretical electrical and thermal limits of III-N materials are presented. Further, the state-of-the-art for nitride-based substrates, materials, electronic devices, and circuits are reviewed systematically.

Keywords

Boron Nitride Sapphire Substrate Gate Length Output Power Level Sheet Carrier Concentration 
These keywords were added by machine and not by the authors. This process is experimental and the keywords may be updated as the learning algorithm improves.
This is a preview of subscription content, log in to check access.

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

References

  1. 2.1.
    V. Adivarahan, M. Gaevski, W. Sun, H. Fatima, A. Kouymov, S. Saygi, G. Simin, J. Yang, M. Khan, A. Tarakji, M. Shur, R. Gaska, IEEE Electron Device Lett. 24, 541 (2003)Google Scholar
  2. 2.2.
    A. Agarwal, M. Das, B. Hull, S. Krishnaswami, J. Palmour, J. Richmond, S. Ryu, J. Zhang, in Device Research Conference, State College, PA, 2006, pp. 155–158Google Scholar
  3. 2.3.
    I. Akasaki, H. Amano, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 7.2, pp. 222–230Google Scholar
  4. 2.4.
    I. Akasaki, H. Amano, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 1.4, pp. 30–34Google Scholar
  5. 2.5.
    M. Akita, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, Electron. Lett. 36, 1736 (2000)Google Scholar
  6. 2.6.
    J. Albrecht, P. Ruden, S. Binari, M. Ancona, IEEE Trans. Electron Devices 47, 2031 (2000)Google Scholar
  7. 2.7.
    E. Alekseev, D. Pavlidis, Solid-State Electron. 44, 245 (2000)Google Scholar
  8. 2.8.
    E. Alekseev, D. Pavlidis, Solid-State Electron. 44, 941 (2000)Google Scholar
  9. 2.9.
    S. Allen, J. Milligan, Comp. Semicond. 9, 25 (2003)Google Scholar
  10. 2.10.
    O. Ambacher, M. Eickhoff, A. Link, M. Hermann, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, Y. Smorchkova, J. Speck, U. Mishra, W. Schaff, V. Tilak, L. Eastman, Phys. Stat. Sol. C 0, 1878 (2003)Google Scholar
  11. 2.11.
    O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. Shealy, N. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. Sierakowski, R. Dimitrov, A. Mitchell, M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000)Google Scholar
  12. 2.12.
    O. Ambacher, J. Smart, J. Shealy, N. Weimann, K. Chu, M. Murphy, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999)Google Scholar
  13. 2.13.
    K. Andersson, V. Desmaris, J. Eriksson, N. Roersman, H. Zirath, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Philadelphia, 2003, pp. 1303–1306Google Scholar
  14. 2.14.
    T. Anderson, D. Barrett, J. Chen, W.T. Elkington, E. Emorhokpor, A. Gupta, C. Johnson, R. Hopkins, C. Martin, T. Kerr, E. Semenas, A. Souzis, C. Tanner, M. Yonanathan, I. Zwieback Material Science Forum, 457–460, 75 (2004),Google Scholar
  15. 2.15.
    Y. Ando, W. Contrata, N. Samoto, H. Miyamoto, K. Matsunaga, M. Kuzuhara, K. Kunihiro, K. Kasahara, T. Nakayama, Y. Takahashi, N. Hayama, Y. Ohno, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1965 (2000)Google Scholar
  16. 2.16.
    Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, N. Hayama, T. Nakayama, K. Kasahara, M. Kuzuhura, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 381–384Google Scholar
  17. 2.17.
    A. Anwar, S. Wu, R. Webster, IEEE Trans. Electron Devices 48, 567 (2001)Google Scholar
  18. 2.18.
    A.P. Zhang, L. Rowland, E. Kaminsky, J. Tucker, J. Kretchmer, A. Allen, J. Cook, B. Edward, Electron. Lett. 39, 245 (2003)Google Scholar
  19. 2.19.
    L. Ardaravicius, A. Matulionis, J. Liberis, O. Kiprijanovic, M. Ramonas, L. Eastman, J. Shealy, A. Vertiatchikh, Appl. Phys. Lett. 83, 4038 (2003)Google Scholar
  20. 2.20.
    S. Arulkumaran, M. Miyoschi, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, IEEE Electron Device Lett. 24, 497 (2003)Google Scholar
  21. 2.21.
    D. As, D. Schikora, A. Greiner, M. Lübbers, J. Mimkes, K. Lischka, Phys. Rev. B 54, R11118 (1996)Google Scholar
  22. 2.22.
    P. Asbeck, E. Yu, S. Lau, G. Sullivan, J.V. Hove, J. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997)Google Scholar
  23. 2.23.
    P. Asbeck, E. Yu, S. Lau, W. Sun, X. Dang, C. Shi, Solid-State Electron. 44, 211 (2000)Google Scholar
  24. 2.24.
    M. Aust, A. Sharma, A. Chau, A. Gutierrez-Aitken, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Honolulu, 2007, pp. 809–812Google Scholar
  25. 2.25.
    C. Bae, C. Krug, G. Lucovsky, A. Chakraborty, U. Mishra, J. Appl. Phys. 96, 2674 (2003)Google Scholar
  26. 2.26.
    A. Baliga, IEEE Electron Device Lett. 10, 455 (1989)Google Scholar
  27. 2.27.
    Z. Bandic, E. Piquette, P. Bridger, R. Beach, T. Kuech, T. McGill, Solid-State Electron. 42, 2289 (1998)Google Scholar
  28. 2.28.
    H. Bang, T. Mitani, S. Nakashima, H. Sazawa, K. Hirata, M. Kosaki, H. Okumura, J. Appl. Phys. 100, 114502 (2006)Google Scholar
  29. 2.29.
    A. Barker, M. Ilegems, Phys. Rev. B 7, 743 (1973)Google Scholar
  30. 2.30.
    J. Barker, D. Ferry, D. Koleske, R. Shul, J. Appl. Phys. 97, 063705 (2005)Google Scholar
  31. 2.31.
    A. Barnes, D. Hayes, M. Uren, T. Martin, R. Balmer, D. Wallis, K. Hilton, J. Powell, W. Phillips, A. Jimenez, E. Munoz, M. Kuball, S. Rajasingam, J. Pomeroy, N. Labat, N. Malbert, P. Rice, A. Wells, in IMS Workshop Advances in GaN-based Device and Circuit Technology: Modeling and Applications, Fort Worth, 2004Google Scholar
  32. 2.32.
    J. Beintner, Y. Li, A. Knorr, D. Chidambarrao, P. Voigt, R. Divakaruni, P. Pöchmüller, G. Bronner, IEEE Electron Device Lett. 25, 259 (2004)Google Scholar
  33. 2.33.
    K. Bejtka, R. Martin, I. Watson, S. Ndiaje, M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 89, 191912 (2006)Google Scholar
  34. 2.34.
    E. Bellotti, F. Bertazzi, M. Goano, J. Appl. Phys. 101, 3706 (2007)Google Scholar
  35. 2.35.
    E. Bellotti, B. Doshi, K. Brennan, J. Albrecht, P. Ruden, J. Appl. Phys. 85, 916 (1999)Google Scholar
  36. 2.36.
    F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997)Google Scholar
  37. 2.37.
    U. Bhapkar, M. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997)Google Scholar
  38. 2.38.
    A. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003)Google Scholar
  39. 2.39.
    S. Binari, K. Ikossi-Anastasiou, J. Roussos, D. Parl, D. Koleske, A. Wickenden, R. Henry, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, St. Louis, 2000, pp. 201–204Google Scholar
  40. 2.40.
    S. Binari, J. Redwing, G. Kelner, W. Kruppa, IEEE Electron Device Lett. 33, 242 (1997)Google Scholar
  41. 2.41.
    J. Blevins, in Proceedings of the International Conference on the GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 287–290Google Scholar
  42. 2.42.
    C. Bolognesi, A. Kwan, D. DiSanto, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2002, pp. 685–688Google Scholar
  43. 2.43.
    K. Boutros, B. Luo, Y. Ma, G. Nagy, J. Hacker, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 93–95Google Scholar
  44. 2.44.
    K. Boutros, M. Regan, P. Rowell, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Brar, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 981–982Google Scholar
  45. 2.45.
    K. Boutros, W. Luo, K. Shinohara, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2005, pp. 183–184Google Scholar
  46. 2.46.
    N. Braga, R. Mickevicius, R. Gaska, X. Hu, M. Shur, M. Khan, G. Simin, J. Yang, J. Appl. Phys. 95, 6409 (2004)Google Scholar
  47. 2.47.
    N. Braga, R. Mickevicius, V. Rao, W. Fichtner, R. Gaska, M. Shur, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 149–152Google Scholar
  48. 2.48.
    N. Braga, R. Mickevicus, M. Shur, R. Gaska, M. Shur, M. Khan, G. Simin, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 815–818Google Scholar
  49. 2.49.
    K. Brennan, E. Bellotti, M. Farahmand, J. Haralson, P. Ruden, J. Albrecht, A. Sutandi, Solid-State Electron. 44, 195 (2000)Google Scholar
  50. 2.50.
    K. Brennan, E. Bellotti, M. Farahmand, H. Nilsson, P. Ruden, Y. Zhang, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1882 (2000)Google Scholar
  51. 2.51.
    J. Brinkhoff, A. Parker, in Workshop Applied Radio Science, Hobart, 2004, pp. 1–8Google Scholar
  52. 2.52.
    J. Brown, W. Nagy, S. Singhal, S. Peters, A. Chaudhari, T. Li, R. Nichols, R. Borges, P. Rajagopal, J. Johnson, R. Therrien, A. Hanson, A. Vescan, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 1347–1350Google Scholar
  53. 2.53.
    T. Brozek, J. Szmidt, A. Jabubowski, A. Olszyna, Diamond Relat. Mater. 3, 720 (1994)Google Scholar
  54. 2.54.
    W. Bryden, T. Kistenmacher, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 3.3, pp. 117–121Google Scholar
  55. 2.55.
    G. Bu AND D. Ciplys AND M. Shur AND L.J. Schowalter AND S. Schjman AND R. Gaska, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelec. Frequency Control, 53, 251 (2006)Google Scholar
  56. 2.56.
    C. Bulutay, Semicond. Sci. Technol. 17, L59 (2002)Google Scholar
  57. 2.57.
    E. Burgemeister, W. von Muench, E. Pettenpaul, J. Appl. Phys. 50, 5790 (1979)Google Scholar
  58. 2.58.
    J. Burm, K. Chu, W. Schaff, L. Eastman, M. Khan, Q. Chen, J. Yang, M. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 141 (1997)Google Scholar
  59. 2.59.
    R. Caverly, N. Drozdovski, C. Joye, M. Quinn, in GaAs IC Symposium Technical Digest, Monterey, 2002, pp. 131–134Google Scholar
  60. 2.60.
    S. Cha, Y. Chung, M. Wojtowicz, I. Smorchkova, B. Allen, J. Yang, R. Kagiwada, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 829–832Google Scholar
  61. 2.61.
    A. Chakraborty, B. Haskell, S. Keller, J. Speck, S. Denbaars, S. Nakamura, U. Mishra, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L173 (2005)Google Scholar
  62. 2.62.
    Q. Chen, J. Yang, R. Gaska, M. Khan, M. Shur, G. Sullivan, A. Sailor, J. Higgins, A. Ping, I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 44 (1998)Google Scholar
  63. 2.63.
    L. Cheng, I. Sankin, N. Merret, J. Casady, W. Draper, W. King, V. Bondarenko, M. Mazzola, J. Casady, in Device Research Conference, State College, PA, 2006, pp. 159–160Google Scholar
  64. 2.64.
    V. Chin, T. Tansley, T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994)Google Scholar
  65. 2.65.
    V. Chin, B. Zou, T. Tansley, X. Li, J. Appl. Phys. 77, 6064 (1995)Google Scholar
  66. 2.66.
    A. Chini, D. Buttari, R. Coffie, S. Heikmann, S. Keller, U. Mishra, Electron. Lett. 40, 73 (2004)Google Scholar
  67. 2.67.
    A. Chini, D. Buttari, R. Coffie, L. Shen, S. Heikman, A. Chakraborty, S. Keller, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 229 (2004)Google Scholar
  68. 2.68.
    A. Chini, R. Coffie, G. Meneghesso, E. Zanoni, D. Buttari, S. Heikman, S. Keller, U. Mishra, Electron. Lett. 39, 625 (2003)Google Scholar
  69. 2.69.
    A. Chini, J. Wittich, S. Heikman, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 229 (2004)Google Scholar
  70. 2.70.
    S. Chiu, A. Anwar, S. Wu, IEEE Trans. Electron Devices 47, 662 (2000)Google Scholar
  71. 2.71.
    L. Chkhartishvili, J. Solid-State Chem. 177, 395 (2004)Google Scholar
  72. 2.72.
    T. Chow, R. Tyagi, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1481 (1994)Google Scholar
  73. 2.73.
    K. Chu, P. Chao, M. Pizzella, R. Actis, D. Meharry, K. Nichols, R. Vaudo, X. Xu, J. Flynn, J. Dion, G. Brandes, IEEE Electron Device Lett. 25, 596 (2004)Google Scholar
  74. 2.74.
    E. Chumbes, J. Smart, T. Prunty, J. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 416 (2001)Google Scholar
  75. 2.75.
    R. Clarke, J. Palmour, Proc. IEEE 90, 987 (2002)Google Scholar
  76. 2.76.
    I. Cohen, T. Zhu, L. Liu, M. Murphy, M. Pophristic, M. Pabisz, M. Gottfried, B. Shelton, B. Peres, A. Ceruzzi, R. Stall, in IEEE APEC, Austin, 2005, pp. 311–314Google Scholar
  77. 2.77.
    P.T. Coleridge, R. Stoner, R. Flechter, Phys. Rev. B, 39, 1120 (1989)Google Scholar
  78. 2.78.
    Compound Semiconductor, Epigress Licenses HTCVD Technology from Oktemic. Comp. Semicond. 6, (2002)Google Scholar
  79. 2.79.
    Compound Semiconductor, Cap Wireless to use GaN Chips in X-Band Amplifiers. Comp. Semicond. 11, (2005)Google Scholar
  80. 2.80.
    Compound Semiconductor, Hitachi Confirms 3-Inch GaN Substrate, Eyes 4-Inch. Comp. Semicond. 11, (2007)Google Scholar
  81. 2.81.
    Compound Semiconductor, Cree Announces 40 W GaN Amplifier, First GaN MMIC. Comp. Semicond. 6, 15 (2000)Google Scholar
  82. 2.82.
    T. Cook, C. Fulton, W. Meccouch, R. Davis, G. Lucovsky, R. Nemanich, J. Appl. Phys. 94, 3949 (2003)Google Scholar
  83. 2.83.
    Cree, Silicon Carbide Substrates and Epitaxy: Product Specifications (2007), http://www.cree.comGoogle Scholar
  84. 2.84.
    A. Dadgar, M. Neuburger, F. Schulze, J. Bäsing, A. Krtschil, I. Daumiller, M. Kunze, K. Günther, H. Witte, A. Diez, E. Kohn, A. Krost, Phys. Stat. Sol. A 202, 832 (2005)Google Scholar
  85. 2.85.
    I. Daumiller, M. Seyboth, C. Kirchner, M. Kamp, E. Kohn, in Device Research Conference, Denver, 2000, pp. 1–2Google Scholar
  86. 2.86.
    V. Davydov, A. Klochikhin, V. Emtsev, D. Kurdyukov, S. Ivanov, V. Verkshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, J. Aderhold, J. Graul, A. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, E. Haller, Phys. Stat. Sol. B 234, 787 (2002)Google Scholar
  87. 2.87.
    C.V. de Walle, J. Neugebauer, C. Stampfl, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. 8.1, pp. 275–280Google Scholar
  88. 2.88.
    M. DeLisio, B. Deckmann, C. Cheung, S. Martin, D. Nakhla, E. Hartmann, C. Rollison, J. Pacetti, J. Rosenberg, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Forth Worth, 2004, pp. 83–86Google Scholar
  89. 2.89.
    G. Dimitrakopulos, P. Komninou, T. Karakostas, R. Pond, in Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley-VCH, Weinheim, 2003), Chap. 7, pp. 321–378Google Scholar
  90. 2.90.
    R. Dimitrov, A. Mitchell, L. Wittmer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hilsenbeck, W. Rieger, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 4962 (1999)Google Scholar
  91. 2.91.
    M. Drechsler, D. Hofmann, B. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1178 (1995)Google Scholar
  92. 2.92.
    M. Drory, J. Ager, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Appl. Phys. 69, 4044 (1996)Google Scholar
  93. 2.93.
    D. Ducatteau, A. Minko, V. Hoel, E. Morvan, E. Delos, B. Grimbert, H. Lahreche, P. Bove, C. Gaquiere, J. DeJaeger, S. Delage, IEEE Electron Device Lett. 27, 7 (2006)Google Scholar
  94. 2.94.
    D. Dumka, C. Lee, H. Tserng, P. Saunier, M. Kumar, Electron. Lett. 40, 1023 (2003)Google Scholar
  95. 2.95.
    N. Dyakonova, A. Dickens, M. Shur, R. Gaska, Electron. Lett. 34, 1699 (1998)Google Scholar
  96. 2.96.
    L. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. Green, E. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. Schaff, J. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001)Google Scholar
  97. 2.97.
    L. Eastman. Personal Communication, 2002Google Scholar
  98. 2.98.
    L. Eastman, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 2273–2275Google Scholar
  99. 2.99.
    J. Edgar, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 1.2, pp. 7–21Google Scholar
  100. 2.100.
    J. Edgar (ed.), Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series (IEE INSPEC, London, 1994)Google Scholar
  101. 2.101.
    J. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, C. Wetzel (eds.), Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series (IEE INSPEC, London, 1999)Google Scholar
  102. 2.102.
    G. Ellis, J. Moon, D. Wong, M. Micovic, A. Kurdoghlian, P. Hashimoto, M. Hu, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 153–156Google Scholar
  103. 2.103.
    E. Emorhokpor, T. Kerr, I. Zwieback, W. Elkington, M. Dudley, T. Anderson, J. Chen, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 139–142Google Scholar
  104. 2.104.
    J. Ender, H. Wilden, U. Nickel, R. Klemm, A. Brenner, T. Eibert, D. Nuessler, in Proceedings of European Radar Conference, Amsterdam, 2004, pp. 113–116Google Scholar
  105. 2.105.
    T. Ericsen, Proc. IEEE 90, 1077 (2002)Google Scholar
  106. 2.106.
    K. Evans, Comp. Semicond. 10, (2004)Google Scholar
  107. 2.107.
    S. Evans, N. Giles, L. Haliburton, G. Slack, S. Schujman, L. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 88, 062112 (2006)Google Scholar
  108. 2.108.
    W. Fan, M. Li, T. Chong, J. Xia, J. Appl. Phys. 79, 188 (1996)Google Scholar
  109. 2.109.
    D. Fanning, L. Witkowski, C. Lee, D. Dumka, H. Tserng, P. Saunier, W. Gaiewski, E. Piner, K. Linthicum, J. Johnson, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 8.3Google Scholar
  110. 2.110.
    M. Farahmand, K. Brennan, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1319 (1999)Google Scholar
  111. 2.111.
    M. Farahmand, K. Brennan, IEEE Trans. Electron Devices 47, 493 (2000)Google Scholar
  112. 2.112.
    M. Farahmand, K. Brennan, E. Gebara, D. Heo, Y. Suh, J. Laskar, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1844 (2001)Google Scholar
  113. 2.113.
    M. Farahmand, C. Garetto, E. Bellotti, K. Brennan, M. Goano, E. Ghillino, G. Ghione, J. Albrecht, P. Ruden, IEEE Trans. Electron Devices 48, 535 (2001)Google Scholar
  114. 2.114.
    T. Fehlberg, G. Umana-Membreno, B. Nener, G. Parish, C. Gallinat, G. Koblmüller, S. Rajan, S. Bernardis, J. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1090 (2006)Google Scholar
  115. 2.115.
    A. Fischer, H. Kühne, H. Richter, Phys. Rev. Lett. 73, 2712 (1994)Google Scholar
  116. 2.116.
    G. Fischer, in IEEE Wireless and Microwave Technology Conference, Clearwater, 2004, p. FD-1Google Scholar
  117. 2.117.
    M. Fischetti, IEEE Trans. Electron Devices 38, 634 (1991)Google Scholar
  118. 2.118.
    M. Fischetti, S. Laux, IEEE Trans. Electron Devices 38, 650 (1991)Google Scholar
  119. 2.119.
    N. Fitzer, A. Kuligk, R. Redmer, M. Städele, S. Goodnick, W. Schattke, Semicond. Sci. Technol. 19, S206 (2004)Google Scholar
  120. 2.120.
    D. Florescu, V. Asnin, F. Pollack, Comp. Semicond. 7, 62 (2001)Google Scholar
  121. 2.121.
    B. Foutz, S. O’Leary, M. Shur, L. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 7727 (1999)Google Scholar
  122. 2.122.
    S. Fu, Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 85 1523 (2004)Google Scholar
  123. 2.123.
    D. Gaskill, L. Rowland, K. Doverspike, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 3.2, pp. 101–116Google Scholar
  124. 2.124.
    G. Gauthier, Y. Mancuso, F. Murgadella, in Proceedings of the European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Paris, 2005, pp. 361–364Google Scholar
  125. 2.125.
    J. Gillespie, R. Fitch, N. Moser, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A.C.A. Dabiran, P. Chow, A. Osinsky, M. Mastro, D. Tsvetkov, V. Soukhoveev, A. Usikov, V. Dmitriev, B. Luo, S. Pearton, F. Ren, Solid-State Electron. 47, 1859 (2003)Google Scholar
  126. 2.126.
    J. Gillespie, G. Jessen, G. Via, A. Crespo, D. Langley, M. Aumer, H. Henry, D. Thomson, D. Partlow, in Proceedings of the International Conference GaAs Manufacturing Technology, Austin, 2007, pp. 73–76Google Scholar
  127. 2.127.
    M. Goano, E. Belloti, E. Ghillino, C. Garetto, G. Ghione, K. Brennan, J. Appl. Phys. 88, 6476 (2000)Google Scholar
  128. 2.128.
    M. Goano, E. Belloti, E. Ghillino, G. Ghione, K. Brennan, J. Appl. Phys. 88, 6467 (2000)Google Scholar
  129. 2.129.
    J. Grajal, F. Calle, J. Pedros, T. Palacios, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 387–390Google Scholar
  130. 2.130.
    B. Green, K. Chu, E. Chumbes, J. Smart, J. Shealy, L. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000)Google Scholar
  131. 2.131.
    B. Green, H. Henry, J. Selbee, R. Lawrence, K. Moore, J. Abdou, M. Miller, in IEEE International Microwave Symposium Digest, San Francisco, 2006, pp. 706–709Google Scholar
  132. 2.132.
    B. Green, V. Tilak, V. Kaper, J. Smart, J. Shealy, L. Eastman, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 51, 618 (2003)Google Scholar
  133. 2.133.
    B. Green, V. Tilak, S. Lee, H. Kim, J. Smart, K. Webb, J. Shealy, L. Eastman, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 49, 2486 (2001)Google Scholar
  134. 2.134.
    D. Grider, J. Smart, R. Vetury, M. Young, J. Dick, B. Delayney, Y. Yang, T. Mercier, S. Gibb, C. Palmer, B. Hosse, K. Leverich, N. Zhang, J. Shealy, M. Poulton, B. Sousa, D. Schnaufer, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 101–102Google Scholar
  135. 2.135.
    V. Gubaniv, E. Pentaleri, C. Fong, B. Klein, Phys. Rev. B 56, 13077 (1997)Google Scholar
  136. 2.136.
    E. Gusev et al., in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 79–82Google Scholar
  137. 2.137.
    A. Hanser, L. Liu, E. Preble, D. Tsetkov, M. Tutor, N. Williams, K. Evans, Y. Zhou, D. Wang, C. Ahyi, C. Tin, J. Williams, M. Park, D. Storm, D. Katzer, S. Binari, J. Roussos, J. Mittereder, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Vancouver, 2006, pp. 67–70Google Scholar
  138. 2.138.
    S. Harada, M. Kato, K. Suzuki, M. Okamoto, T. Yatsuo, K. Fukuda, K. Arai, in IEDM Technology Digest, San Francisco, 2006, pp. 1–4Google Scholar
  139. 2.139.
    G. Harris (ed.), in Properties of Silicon Carbide, No. 13 in EMIS Data reviews Series (IEE INSPEC, London, 1995)Google Scholar
  140. 2.140.
    J. Heffernan, M. Kauer, S. Hooper, V. Bousquet, K. Johnson, Phys. Stat. Sol. C 1, 2668 (2004)Google Scholar
  141. 2.141.
    R. Hickman, J. van Hove, P. Chow, J. Klaassen, A. Wowchack, C. Polley, D. King, F. Ren, C. Abernathy, S. Pearton, K. Jung, H. Cho, J. LaRoche, Solid-State Electron. 44, 377 (2000)Google Scholar
  142. 2.142.
    M. Higashiwaki, T. Mimura, T. Matsui, IEEE Electron Device Lett. 27, 719 (2006)Google Scholar
  143. 2.143.
    M. Higashiwaki, T. Mimura, T. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L843 (2006)Google Scholar
  144. 2.144.
    M. Hirose, Y. Takada, M. Kuraguchi, T. Sasaki, K. Tsuda, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Monterey, 2004, pp. 163–166Google Scholar
  145. 2.145.
    C. Hobbs, Leonardo, R. Fonseca, A. Knizhnik, V. Dhandapani, S. Samavedam, W. Taylor, J. Grant, L. Dip, D. Triyoso, R. Hegde, D. Gilmer, R. Garcia, D. Roan, M. Lovejoy, R. Rai, E. Hebert, H. Tseng, S. Anderson, B. White, P. Tobin, IEEE Trans. Electron Devices 51, 971 (2004)Google Scholar
  146. 2.146.
    D. Holec, P.M.F.J. Costa, M. Kaspers, C. Humphreys, J. Cryst. Growth 303, 314 (2007)Google Scholar
  147. 2.147.
    H. Hommel, H. Feldle, in Proceedings of the European Radar Conference, Amsterdam, 2004, pp. 121–124Google Scholar
  148. 2.148.
    Honeywell International, Honeywell Sapphire Products (2007) https://www51.honeywell.com/sm/em/products-applications/opto-electro-materials.htmlGoogle Scholar
  149. 2.149.
    A. Hori, H. Nakaoka, H. Umimoto, K. Yamashita, M. Takase, N. Shimizu, B. Mizuno, S. Odanaka, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 1994, pp. 485–488Google Scholar
  150. 2.150.
    Y. Hsin, H. Hsu, C. Chuo, J. Chyi, IEEE Electron Device Lett. 22, 501 (2001)Google Scholar
  151. 2.151.
    X. Hu, J. Deng, N. Pala, R. Gaska, M. Shur, C. Chen, J. Yang, G. Simin, M. Khan, J. Rojo, L. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 82, 1299 (2003)Google Scholar
  152. 2.152.
    J. Huang, M. Hattendorf, M. Feng, D. Lambert, B. Shelton, M. Wong, U. Chowdhury, T. Zhu, H. Kwon, R. Dupuis, IEEE Electron Device Lett. 22, 157 (2001)Google Scholar
  153. 2.153.
    T. Hussain, A. Kurdoghlian, P. Hashimoto, W. Wong, M. Wetzel, J. Moon, L. McCray, M. Micovic, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 581–584Google Scholar
  154. 2.154.
    J. Ibbetson, P. Fini, K. Ness, S. DenBaars, J. Speck, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000)Google Scholar
  155. 2.155.
    D. Ingram, Y. Chen, J. Kraus, B. Brunner, B. Allen, H. Yen, K. Lau, in Radio Frequency Integrated Circuit Symposium Digest, Anaheim, 1999, pp. 95–98Google Scholar
  156. 2.156.
    T. Inoue, Y. Ando, H. Miyamoto, T. Nakayama, Y. Okamoto, K. Hataya, M. Kuzuhara, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 1649–1652Google Scholar
  157. 2.157.
    T. Inoue, Y. Ando, H. Miyamoto, T. Nakayama, Y. Okamoto, K. Hataya, M. Kuzuhara, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 53, 74 (2004)Google Scholar
  158. 2.158.
    H. Ishida, Y. Hirose, T. Murata, A. Kanda, Y. Ikeda, T. Matsuno, K. Inoue, Y. Uemoto, T. Tanaka, T. Egawa, D. Ueda, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 583–586Google Scholar
  159. 2.159.
    H. Jacobsen, J. Birch, R. Yakimova, M. Syvajarvi, J. Bergman, A. Ellison, T. Tuomi, E. Janzen, J. Appl. Phys. 91, 6354 (2002)Google Scholar
  160. 2.160.
    H. Jang, C. Jeon, K. Kim, J. Kim, S. Bae, J. Lee, J. Choi, J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 1249 (2002)Google Scholar
  161. 2.161.
    P. Javorka, A. Alam, N. Nastase, M. Marso, H. Hardtdegen, M. Heuken, H. Lüth, P. Kordos, Electron. Lett. 37, 1364 (2001)Google Scholar
  162. 2.162.
    P. Javorka, A. Alam, M. Wolter, A. Fox, M. Marso, M. Heuken, H. Lüth, P. Kordos, Electron. Lett. 23, 4 (2002)Google Scholar
  163. 2.163.
    D. Jenkins, J. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317 (1989)Google Scholar
  164. 2.164.
    G. Jessen, R. Fitch, J. Gillespie, G. Via, N. Moser, M. Yannuzzi, A. Crespo, J. Sewell, R. Dettmer, T. Jenkins, R. Davis, J. Yang, M. Khan, S. Binari, IEEE Electron Device Lett. 24, 677 (2003)Google Scholar
  165. 2.165.
    G. Jessen, J. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, J. Wasserbauer, F. Faili, D. Francis, D. Babic, F. Ejeckam, S. Guo, I. Eliashevich, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 271–274Google Scholar
  166. 2.166.
    A. Jimenez, D. Buttari, D. Jena, R. Coffie, S. Heikman, N. Zhang, L. Shen, E. Calleeja, E. Munoz, J. Speck, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 23, 306 (2002)Google Scholar
  167. 2.167.
    E. Johnson, RCA Rev. 26, 163 (1965)Google Scholar
  168. 2.168.
    J. Johnson, J. Gao, K. Lucht, J.W.C. Strautin, J. Riddle, T. Therrien, P. Rajagopal, J. Roberts, A. Vescan, J. Brown, A. Hanson, S. Singhal, R. Borges, E. Piner, K. Linthicum, Proc. Elec. Soc. 7, 405 (2004)Google Scholar
  169. 2.169.
    J. Johnson, E. Piner, A. Vescan, R. Therrien, Rajagopal, J. Roberts, J. Brown, J. Brown, K. Linthicum, IEEE Electron Device Lett. 25, 459 (2004)Google Scholar
  170. 2.170.
    R. Jones, K. Yu, S. Li, W. Walukiewicz, J. Ager, E. Haller, H. Lu, W. Schaff, Phys. Rev. Lett. 96, 125505–1 (2006)Google Scholar
  171. 2.171.
    K. Joshin, T. Kikkawa, in Device Research Conference, Long Beach, 2005, pp. 173–176Google Scholar
  172. 2.172.
    K. Joshin, T. Kikkawa, H. Hayashi, T. Maniwa, S. Yokokawa, M. Yokoyama, N. Adachi, M. Takikawa, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 983–985Google Scholar
  173. 2.173.
    Y. Kamo, T. Kunii, H. Takeuchi, Y. Yamamoto, M. Totsuka, T. Shiga, H. Minami, T. Kitano, S. Miyakuni, T. Oku, A. Inoue, T. Nanjo, H. Chiba, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, Y. Tsuyama, R. Shirahana, H. Ohtsuka, K. Iyomasa, K. Yamanaka, M. Hieda, M. Nakayama, T. Ishikawa, T. Takagi, K. Marumoto, Y. Matsuda, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 495–498Google Scholar
  174. 2.174.
    M. Kanamura, T. Kikkawa, J. Joshin, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 799–802Google Scholar
  175. 2.175.
    B. Kang, S. Kim, F. Ren, J. Johnson, R. Therrien, P. Rajagopal, J. Roberts, E. Piner, K. Linthicum, S. Chu, K. Baik, B. Gila, C. Abernathy, S. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 2962 (2004)Google Scholar
  176. 2.176.
    B. Kang, F. Ren, B. Gilla, C. Abernathy, S. Pearton, Appl. Phys. Lett. 84, 1123 (2004)Google Scholar
  177. 2.177.
    M. Kanoun, S. Goumri-Said, G. Merad, J. Cibert, H. Aourag, Semicond. Sci. Technol. 19, 1220 (2004)Google Scholar
  178. 2.178.
    M. Kanoun, A. Merad, G. Merad, J. Cibert, H. Aourag, Solid-State Electron. 48, 1601 (2004)Google Scholar
  179. 2.179.
    M. Kao, C. Lee, R. Hajji, P. Saunier, H. Tserng, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Honolulu, 2007, pp. 627–630Google Scholar
  180. 2.180.
    V. Kaper, V. Tilak, H. Kim, R. Thompson, T. Prunty, J. Smart, L. Eastman, J. Shealy, in GaAs IC Symposium Technical Digest, Monterey, 2002, pp. 251–254Google Scholar
  181. 2.181.
    M. Kariya, S. Nitta, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L984 (1999)Google Scholar
  182. 2.182.
    S. Karmalkar, N. Satyan, D. Sathaiya, IEEE Electron Device Lett. 27, 87 (2006)Google Scholar
  183. 2.183.
    S. Karmalkar, N. Soudabi, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2430 (2006)Google Scholar
  184. 2.184.
    K. Kasahara, H. Miyamoto, Y. Ando, Y. Okamoto, T. Nakayama, M. Kuzuhara, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2002, pp. 677–680Google Scholar
  185. 2.185.
    O. Katz, A. Horn, J. Salzmann, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2002 (2003)Google Scholar
  186. 2.186.
    O. Katz, D. Mistele, B. Meyler, G. Bahir, J. Salzman, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 1035–1038Google Scholar
  187. 2.187.
    O. Katz, D. Mistele, B. Meyler, G. Bahir, J. Salzmann, Electron. Lett. 40, 1304 (2004)Google Scholar
  188. 2.188.
    S. Keller, Y. Wu, G. Parish, N. Ziang, J. Xu, B. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 552 (2001)Google Scholar
  189. 2.189.
    R. Kemerley, H. Wallace, M. Yoder, Proc. IEEE 90, 1059 (2002)Google Scholar
  190. 2.190.
    M. Khan, A. Bhattarai, J. Kuznia, D. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993)Google Scholar
  191. 2.191.
    M. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, M. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000)Google Scholar
  192. 2.192.
    M. Khan, M. Shur, G. Simin, Phys. Stat. Sol. A 200, 155 (2003)Google Scholar
  193. 2.193.
    M. Khan, G. Simin, J. Yang, J. Zhang, A. Koudymov, M. Shur, R. Gaska, X. Hu, A. Tarakji, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 51, 624 (2003)Google Scholar
  194. 2.194.
    R. Kiefer, R. Quay, S. Müller, K. Köhler, F. van Raay, B. Raynor, W. Pletschen, H. Massler, S. Ramberger, M. Mikulla, G. Weimann, in Proceedings of the Lester Eastman Conference High Performance Devices, Newark, 2002, pp. 502–504Google Scholar
  195. 2.195.
    T. Kikkawa, T. Maniwa, H. Hayashi, M. Kanamura, S. Yokokawa, M. Nishi, N. Adachi, M. Yokoyama, Y. Tateno, K. Joshin, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 1347–1350Google Scholar
  196. 2.196.
    T. Kikkawa, E. Mitani, K. Joshin, S. Yokokawa, Y. Tateno, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami Beach, 2004, pp. 97–100Google Scholar
  197. 2.197.
    T. Kikkawa, M. Nagahara, N. Adachi, S. Yokokawa, S. Kato, M. Yokoyama, M. Kanamura, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Philadelphia, 2003, pp. 167–170Google Scholar
  198. 2.198.
    T. Kikkawa, M. Nagahara, T. Kimura, S. Yokokawa, S. Kato, M. Yokoyama, Y. Tateno, K. Horino, K. Domen, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 1815–1818Google Scholar
  199. 2.199.
    C. Kim, I. Robinson, J. Myoung, K. Shim, M. Yoo, K. Kim, Appl. Phys. Lett. 69, 2358 (1996)Google Scholar
  200. 2.200.
    J. Kim, B. Gila, C. Abernathy, G. Chung, F. Ren, S. Pearton, Solid-State Electron. 47, 1487 (2003)Google Scholar
  201. 2.201.
    D. Kimball, P. Draxler, J. Jeong, C. Hsia, S. Lanfranco, W. Nagy, K. Linthicum, L. Larson, P. Asbeck, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 89–92Google Scholar
  202. 2.202.
    D. Kimball, J. Jeong, P. Draxler, C. Hsia, P. Draxler, S. Lanfranco, W. Nagy, K. Linthicum, L. Larson, P. Asbeck, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 54, 3848 (2006)Google Scholar
  203. 2.203.
    S. King, R. Nemanich, R. Davis, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. C1.3, pp. 500–505Google Scholar
  204. 2.204.
    L. Kirste, S. Müller, R. Kiefer, R. Quay, K. Köhler, N. Herres, Mater. Sci. Eng. B 9, 8 (2006)Google Scholar
  205. 2.205.
    K. Köhler, J. Wiegert, H.P. Menner, M. Maier, L. Kirste, J. Appl. Phys. 103, 023706 (2008)Google Scholar
  206. 2.206.
    E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. Nguyen, C. Nguyen, Electron. Lett. 35, 1022 (1999)Google Scholar
  207. 2.207.
    E. Kohn, J. Kusterer, A. Denisenko, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 901–904Google Scholar
  208. 2.208.
    G. Koley, V. Tilak, L. Eastman, M. Spencer, J. Appl. Phys. 90, 337 (2001)Google Scholar
  209. 2.209.
    G. Koley, V. Tilak, L. Eastman, M. Spencer, IEEE Trans. Electron Devices 50, 886 (2003)Google Scholar
  210. 2.210.
    N. Kolias, T. Kazior, in IMS Workshop Advances in GaN-based Device and Circuit Technology: Modeling and Applications, Fort Worth, 2004Google Scholar
  211. 2.211.
    J. Kolnik, I.H. Oguzman, K.F. Brennan, R. Wang, P.P. Ruden, Y. Wang, J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995)Google Scholar
  212. 2.212.
    J. Kolnik, I. Oguzman, K. Brennan, R. Wang, P. Ruden, J. Appl. Phys. 81, 726 (1997)Google Scholar
  213. 2.213.
    T. Komachi, T. Takayama, M. Imamura, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 915–918Google Scholar
  214. 2.214.
    J. Komiak, W. Kong, P. Chao, K. Nicols, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Anaheim, 1999, pp. 947–950Google Scholar
  215. 2.215.
    K. Kong, B. Nguyen, S. Nayak, M. Kao, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 232–235Google Scholar
  216. 2.216.
    D. Kotchetkov, J. Zou, A. Balandin, D. Florescu, F. Pollak, J. Electron. Mater.J. Electron. Mater. 79, 4316 (2001)Google Scholar
  217. 2.217.
    A. Koudymov, X. Hu, K. Simin, M. Ali, J. Yang, M. Khan, IEEE Electron Device Lett. 23, 449 (2002)Google Scholar
  218. 2.218.
    P. Kozodoy, H. Xing, S. DenBaars, U. Mishra, A. Saxler, R. Perrin, S. Elhamri, W. Mitchel, J. Appl. Phys. 87, 1832 (2000)Google Scholar
  219. 2.219.
    M. Krämer, R. Hoskesn, B. Jakobs, J. Kwaspen, E. Suijker, A. de Hek, F. Karouta, L. Kaufmann, in Proceedings of the European GaAs and Related Compounds Application Symposium GAAS, Amsterdam, 2004, pp. 75–78Google Scholar
  220. 2.220.
    D. Krausse, R. Quay, R. Kiefer, A. Tessmann, H. Massler, A. Leuther, T. Merkle, S. Müller, M. Mikulla, M. Schlechtweg, G. Weimann, in Proceedings of the European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Amsterdam, 2004, pp. 71–74Google Scholar
  221. 2.221.
    S. Kret, P. Ruterana, C. Delamarre, T. Benabbas, P. Dluzewski, in Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley-VCH, Weinheim, 2003), Chap. 9, pp. 439–488Google Scholar
  222. 2.222.
    S. Krukowski, M. Leszczynski, S. Porowski, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. 1.4, pp. 21–28Google Scholar
  223. 2.223.
    S. Krukowski, A. Witek, J. Adamczyk, J. Jun, M. Bockowski, I. Gregory, B. Lucznik, G. Nowak, M. Wroblewski, A. Presz, S. Gierlotka, S. Stelmach, B. Palosz, S. Porowski, P. Zinn, J. Phys. Chem. Solids, 59, 289 (1998)Google Scholar
  224. 2.224.
    Y. Kumagai, T. Nagashima, A. Koukitu, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L389 (2007)Google Scholar
  225. 2.225.
    K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L337 (2000)Google Scholar
  226. 2.226.
    V. Kumar, G. Chen, S. Guo, B. Peres, I. Adesida, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2005, pp. 61–62Google Scholar
  227. 2.227.
    V. Kumar, J. Lee, A. Kuliev, R. Schwindt, R. Birkhahn, D. Gotthold, S. Guo, B. Albert, I. Adesida, Electron. Lett. 39, 1609 (2003)Google Scholar
  228. 2.228.
    V. Kumar, W. Lu, R. Schwindt, A. Kuliev, G. Simin, J. Yang, M. Khan, I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 23, 455 (2002)Google Scholar
  229. 2.229.
    K. Kunihiro, K. Kasahara, Y. Takahashi, Y. Ohno, IEEE Electron Device Lett. 20, 608 (1999)Google Scholar
  230. 2.230.
    J. Kuzmik, IEEE Electron Device Lett. 22, 510 (2001)Google Scholar
  231. 2.231.
    J. Kuzmik, Semicond. Sci. Technol. 17, 540 (2002)Google Scholar
  232. 2.232.
    J. Kuzmik, J. Carlin, T. Kostopoulos, G. Konstantinidis, A. Georgakilas, D. Pogany, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2005, pp. 57–58Google Scholar
  233. 2.233.
    M. Kuzuhara, H. Miyamoto, Y. Ando, T. Inoue, Y. Okamoto, T. Nakayama, Phys. Stat. Sol. A 200, 161 (2003)Google Scholar
  234. 2.234.
    D. Lambert, D. Lin, R. Dupuis, Solid-State Electron. 44, 253 (2000)Google Scholar
  235. 2.235.
    W. Lambrecht, B. Segall, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 5.2, pp. 163–166Google Scholar
  236. 2.236.
    W. Lambrecht, B. Segall, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 4.3, pp. 135–140Google Scholar
  237. 2.237.
    W. Lambrecht, B. Segall, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 4.2, pp. 129–134Google Scholar
  238. 2.238.
    W. Lambrecht, B. Segall, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 4.4, pp. 141–150Google Scholar
  239. 2.239.
    J. LaRoche, B. Luo, F. Ren, K. Baik, D. Stodilka, B. Gila, C. Abernathy, S. Pearton, A. Usikov, D. Tsevtkov, V. Soukhoveev, G. Gainer, A. Rechnikov, V. Dimitriev, G. Chen, C. Pan, J. Chyi, Solid-State Electron. 48, 193 (2004)Google Scholar
  240. 2.240.
    C. Lee, P. Saunier, J. Yang, M. Khan, IEEE Electron Device Lett. 24, 616 (2003)Google Scholar
  241. 2.241.
    C. Lee, H. Wang, J. Yang, L. Witkowski, M. Muir, P. Saunier, M. Khan, Electron. Lett. 38, 924 (2002)Google Scholar
  242. 2.242.
    S. Lee, H. Jeong, S. Bae, H. Choi, J. Lee, Y. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 48, 524 (2001)Google Scholar
  243. 2.243.
    M. Leszczynski, T. Suski, H. Teisseyre, P. Perlin, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, T. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 4909 (1994)Google Scholar
  244. 2.244.
    M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (eds.), GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe: Properties of Advanced Semiconductor Materials (Wiley, New York, 2001)Google Scholar
  245. 2.245.
    J. Li, K. Nam, M. Nakarmi, J. Lin, H. Jiang, Appl. Phys. Lett. 83, 5163 (2003)Google Scholar
  246. 2.246.
    Q. Li, A. Polyakov, M. Skowronski, M. Roth, M. Fanton, D. Snyder, J. Appl. Phys. 96, 411 (2004)Google Scholar
  247. 2.247.
    S. Li, K. Yu, J. Wu, R. Jones, W. Walukiewicz, J. Ager, W. Shan, E. Haller, H. Lu, W. Schaff, Phys. Rev. B 71, 161201 (2005)Google Scholar
  248. 2.248.
    P. Lim, B. Schineller, O. Schön, K. Heime, M. Heuken, J. Cryst. Growth 205, 1 (1999)Google Scholar
  249. 2.249.
    C. Lin, H. Liu, C. Chu, H. Huang, Y. Wang, C. Liu, C. Chang, C. Wu, C. Chang, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 165–168Google Scholar
  250. 2.250.
    Y. Lin, Q. Ker, C. Ho, H. Chang, F. Chien, J. Appl. Phys. 94, 1819 (2003)Google Scholar
  251. 2.251.
    Y. Lin, S. Koa, C. Chan, S. Hsu, Appl. Phys. Lett. 90, 142111 (2007)Google Scholar
  252. 2.252.
    K. Linkenheil, H. Ruoß, W. Heinrich, in Proceedings of the European Microwave Conference, Amsterdam, 2004, pp. 1561–1564Google Scholar
  253. 2.253.
    D. Litvinov, C. Taylor, R. Clarke, Diamond Relat. Mater. 7, 360 (1998)Google Scholar
  254. 2.254.
    B.T. Liu, Appl. Phys. A, 86, 539 (2007)Google Scholar
  255. 2.255.
    W. Liu, A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 85, 5230 (2004)Google Scholar
  256. 2.256.
    B.T. Liu, C.W. Liu, Optical Comm.,274, 361 (2007)Google Scholar
  257. 2.257.
    D. Look, Mater. Sci. Eng. B 80, 383 (2001)Google Scholar
  258. 2.258.
    D. Look, J. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999)Google Scholar
  259. 2.259.
    D. Look, J. Sizelove, S. Keller, Y. Wu, U. Mishra, S. DenBaars, Solid-State Commun. 102, 297 (1997)Google Scholar
  260. 2.260.
    S. Loughin, R. French, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 6.2, pp. 175–189Google Scholar
  261. 2.261.
    W. Lu, V. Kumar, E. Piner, I. Adesida, IEEE Trans. Electron Devices 50 1069 (2003)Google Scholar
  262. 2.262.
    W. Lu, J. Yang, M. Khan, I. Adesida, IEEE Trans. Electron Devices 48, 581 (2001)Google Scholar
  263. 2.263.
    M. Ludwig, C. Buck, F. Coromina, M. Suess, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 1619–1622Google Scholar
  264. 2.264.
    C. Luo, D. Clarke, J. Dryden, J. Electron. Mater. 30, 138 (2001)Google Scholar
  265. 2.265.
    B. Luther, S. Wolter, S. Mohney, Sensors Actuators B 56, 164 (1999)Google Scholar
  266. 2.266.
    M. Lyons, C. Grondahl, S. Daoud, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 1673–1676Google Scholar
  267. 2.267.
    X. Ma, T. Sudarshan, J. Electron. Mater. 33, 450 (2004)Google Scholar
  268. 2.268.
    A. Maekawa, T. Yamamoto, E. Mitani, S. Sano, in IEEE International Microwave Symposium Digest, San Francisco, 2006, pp. 722–725Google Scholar
  269. 2.269.
    T. Makimoto, K. Kumakura, N. Kobayashi, in Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors, Nagoya, 2000, pp. 969–972Google Scholar
  270. 2.270.
    T. Makimoto, K. Kumakura, N. Kobayashi, in International Conference on Solid-State Devices and Materials, Tokyo, 2003, pp. 134–135Google Scholar
  271. 2.271.
    T. Makimoto, Y. Yamauchi, K. Kumakura, Appl. Phys. Lett. 84, 1964 (2004)Google Scholar
  272. 2.272.
    Y. Mancuso, P. Gremillet, P. Lacomme, in Proceedings of the European Microwave Conference, Paris, 2005, pp. 817–820Google Scholar
  273. 2.273.
    C. Martin, T. Kerr, W. Stepko, T. Anderson, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 291–294Google Scholar
  274. 2.274.
    E. Martin, J. Jimenez, M. Chafai, Solid-State Electron. 42, 2309 (1998)Google Scholar
  275. 2.275.
    G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996)Google Scholar
  276. 2.276.
    K. Matocha, T. Chow, R. Gutmann, IEEE Trans. Electron Devices 52, 6 (2005)Google Scholar
  277. 2.277.
    K. Matocha, R. Gutmann, T. Chow, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1200 (2003)Google Scholar
  278. 2.278.
    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002)Google Scholar
  279. 2.279.
    T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, H. Takahata, H. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama, T. Makimoto, in International Conference on the Solid-State Development and Materials, Tokyo, 2003, pp. 132–133Google Scholar
  280. 2.280.
    J. Matthews, A. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)Google Scholar
  281. 2.281.
    A. Matulionis, J. Liberis, L. Ardaravicius, M. Ramonas, I. Matulioniene, J. Smart, Semicond. Sci. Technol. 17, L9 (2002)Google Scholar
  282. 2.282.
    L.S. McCarthy, Dissertation, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 2001Google Scholar
  283. 2.283.
    L. McCarthy, I. Smorchkova, H. Xing, P. Kozodoy, P. Fini, J. Limb, D. Pulfrey, J. Speck, M. Rodwell, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 543 (2001)Google Scholar
  284. 2.284.
    F. Medjdoub, J. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M. Py, D. Ducatteau, C. Gaquiere, N. Grandjean, E. Kohn, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, p. 35.7Google Scholar
  285. 2.285.
    R. Mehandru, B. Luo, B. Kang, J. Kim, F. Ren, S. Pearton, C. Pan, G. Chen, J. Chyi, Solid-State Electron. 48, 351 (2004)Google Scholar
  286. 2.286.
    C. Meng, G. Liao, J. Chen, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Anaheim, 1999, pp. 1777–1780Google Scholar
  287. 2.287.
    W. Meng, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 1.3, pp. 22–29Google Scholar
  288. 2.288.
    W. Menninger, R. Benton, M. Choi, J. Feicht, U. Hallsten, H. Limburg, W. McGeary, Z. Xiaoling, IEEE Trans. Electron Devices 52, 673 (2005)Google Scholar
  289. 2.289.
    M. Micovic, P. Hashimoto, M. Hu, I. Milosavljevic, J. Duval, P. Willadsen, A. Kurdoghlian, P. Deelman, J. Moon, A. Schmitz, M. Delaney, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 807–810Google Scholar
  290. 2.290.
    M. Micovic, A. Kurdhoghlian, H. Moyer, P. Hashimoto, A. Schmitz, I. Milosavljevic, P. Willadsen, W. Wong, J. Duvall, M. Hu, M. Wetzel, D. Chow, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 173–176Google Scholar
  291. 2.291.
    M. Micovic, A. Kurdhoglian, P. Hashimoto, M. Hu, M. Antcliffe, P. Willadsen, W. Wong, R. Bowen, I. Milosavljevic, A. Schmitz, M. Wetzel, D. Chow, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006 pp. 425–428Google Scholar
  292. 2.292.
    M. Micovic, A. Kurdoghlian, A. Janke, P. Hashimoto, P. Wong, D. Moon, J. McCray, C. Nguyen, IEEE Trans. Electron Devices 48, 591 (2001)Google Scholar
  293. 2.293.
    J. Milligan, J. Henning, S. Allen, A. Ward, P. Parikh, R. Smith, A. Saxler, Y. Wu, J. Palmour, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 15–18Google Scholar
  294. 2.294.
    J. Milligan, J. Henning, S. Allen, A. Ward, J. Palmour, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 8.2Google Scholar
  295. 2.295.
    A. Minko, V. Hoel, G. Dambrine, C. Gaquiere, J. DeJaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove, in Proceedings of the European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Amsterdam, 2004, pp. 67–70Google Scholar
  296. 2.296.
    A. Minko, V. Hoel, S. Lepilliet, G. Dambrine, J. DeJaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, IEEE Electron Device Lett. 25, 167 (2004)Google Scholar
  297. 2.297.
    A. Minko, V. Hoel, E. Morvan, B. Grimbert, A. Soltani, E. Delos, D. Ducatteau, C. Gaquiére, D. Theron, J.C.D. Jaeger, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove, IEEE Electron Device Lett. 25, 453 (2004)Google Scholar
  298. 2.298.
    J. Miragliotta, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 6.3, pp. 190–194Google Scholar
  299. 2.299.
    J. Miragliotta, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 6.4, pp. 195–199Google Scholar
  300. 2.300.
    O. Mishima, K. Era, J. Tanaka, S. Yamaoka, Appl. Phys. Lett. 53, 962 (1988)Google Scholar
  301. 2.301.
    U. Mishra, P. Parikh, Y. Wu, Proc. IEEE 90, 1022 (2002)Google Scholar
  302. 2.302.
    U. Mishra, Y. Wu, B. Keller, S. Keller, S. Denbaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998)Google Scholar
  303. 2.303.
    D. Mistele, O. Katz, A. Horn, G. Bahir, J. Salzmann, Semicond. Sci. Technol. 20, 972 (2005)Google Scholar
  304. 2.304.
    E. Mitani, M. Aojima, A. Maekawa, S. Sano, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Austin, 2007, pp. 213–216Google Scholar
  305. 2.305.
    E. Mitani, M. Aojima, S. Sano, in Proceedings of the European Microwave Integrated Circuits Conference, Munich, 2007, pp. 176–179Google Scholar
  306. 2.306.
    M. Miyazaki, S. Miyazaki, Y. Yanase, T. Ochiai, T. Shigematu, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 6303 (1995)Google Scholar
  307. 2.307.
    K. Mkhoyan, J. Silcox, E. Alldredge, N. Ashcroft, H. Lu, W. Schaff, L. Eastman, Appl. Phys. Lett. 82, 1407 (2003)Google Scholar
  308. 2.308.
    T. Mnatsakanov, M. Levinshtein, L. Pomortseva, S. Yurkov, G. Simin, M. Khan, Solid-State Electron. 47, 111 (2003)Google Scholar
  309. 2.309.
    Y. Mochida, T. Takano, H. Gambe, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 14–21Google Scholar
  310. 2.310.
    P. Moens, F. Bauwens, J. Baele, K. Vershinin, E.D. Backer, E.S. Narayanan, M. Tack, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 919–922Google Scholar
  311. 2.311.
    C. Monier, F. Ren, J. Han, P. Chang, R. Shul, K. Lee, A. Zhang, A. Baca, S. Pearton, IEEE Trans. Electron Devices 48, 427 (2001)Google Scholar
  312. 2.312.
    J. Moon, M. Micovic, P. Janke, P. Hashimoto, W. Wong, R. Widman, L. McCray, A. Kurdoghlian, C. Nguyen, Electron. Lett. 37, 528 (2001)Google Scholar
  313. 2.313.
    J. Moon, D. Wong, M. Antcliffe, P. Hashimoto, M. Hu, P. Willadsen, M. Micovic, H. Moyer, A. Kurdhoglian, P. MacDonald, M. Wetzel, R. Bowen, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 423–424Google Scholar
  314. 2.314.
    K. Mori, Y. Sakai, S. Tsuji, H. Asao, K. Seino, H. Hirose, T. Takagi, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 1661–1664Google Scholar
  315. 2.315.
    H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices, No. 32 in Springer Series in Materials Science (Springer, Berlin Heidelerg New York, 1999)Google Scholar
  316. 2.316.
    S. Müller, J. Sumakeris, M. Brady, R. Glass, H. Hobgood, J. Jenny, R. Leonard, D. Malta, M. Paisley, A. Powell, V. Powell, V. Tsetkov, S. Allen, M. Das, J. Palmour, C. Carter, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 27, 29 (2004)Google Scholar
  317. 2.317.
    J. Muth, J. Lee, I. Shmagin, R. Kolbas, H. Casey, B. Keller, U. Mishra, S. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 71, 2572 (1997)Google Scholar
  318. 2.318.
    M. Nagahara, T. Kikkawa, N. Adachi, Y. Tateno, S. Kato, M. Yokoyama, S. Yokogama, T. Kimura, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2002, pp. 693–696Google Scholar
  319. 2.319.
    W. Nagy, S. Singhal, R. Borges, W. Johnson, J. Brown, R. Therrien, A. Chaudhari, A. Hanson, J. Riddle, S. Booth, P. Rajagopal, E. Piner, K. Linthicum, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 483–486Google Scholar
  320. 2.320.
    D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguchi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda, K. Takatori, Nature 430, 1009 (2004)Google Scholar
  321. 2.321.
    N. Nakamura, MRS Bulletin 23, 37 (1998)Google Scholar
  322. 2.322.
    S. Nakamura, Diamond Relat. Mater. 5, 496 (1996)Google Scholar
  323. 2.323.
    S. Nakamura, S. Chichibu (eds.), Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (Taylor & Francis, London New York, 2000)Google Scholar
  324. 2.324.
    S. Nakamura, G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin Heidelberg New York, 1997)Google Scholar
  325. 2.325.
    S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993)Google Scholar
  326. 2.326.
    S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 68, 3269 (1996)Google Scholar
  327. 2.327.
    M. Neuburger, I. Daumiller, T. Zimmermann, M. Kunze, G. Koley, M. Spencer, A. Dadgar, A. Krtschil, A. Krost, E. Kohn, Electron. Lett. 39, 1614 (2003)Google Scholar
  328. 2.328.
    J. Newey, Comp. Semicond. 8, (2002)Google Scholar
  329. 2.329.
    H.M. Ng, D. Doppalapudi, T.D. Moustakas, N.G. Weimann, L.F. Eastman, Appl. Phys. Lett., 73, 821, (1998)Google Scholar
  330. 2.330.
    J. Nikaido, T. Kikkawa, S. Yokokawa, Y. Tateno, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 8.1Google Scholar
  331. 2.331.
    O. Nilsson, H.H. Mehling, R. Horn, J. Fricke, R. Hofmann, S. Müller, R. Eckstein, D. Hofmann, High Temp. High Press. 29, 73 (1997)Google Scholar
  332. 2.332.
    M. Nishijima, T. Murata, Y. Hirose, M. Hikita, N. Negoro, H. Sakai, Y. Uemoto, K. Inoue, T. Tanaka, D. Ueda, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 299–302Google Scholar
  333. 2.333.
    Nitronex, Nitronex Issued Patent, Demos 120 W Device (2003), http://compoundsemiconductor.net/articles/news/7/10/1/1Google Scholar
  334. 2.334.
    T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, S. Yoshida, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2908 (2006)Google Scholar
  335. 2.335.
    Northrop Grumman Space Technology, Data sheet: ALH444 1–12 GHz Low Noise Amplifier (2005), http://www.velocium.comGoogle Scholar
  336. 2.336.
    S. Nuttinck, S. Pinel, E. Gebara, J. Laskar, M. Harris, in Proceedings of the European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Munich, 2003, pp. 213–215Google Scholar
  337. 2.337.
    R. Oberhuber, G. Zandler, P. Vogl, Appl. Phys. Lett. 73, 818 (1998)Google Scholar
  338. 2.338.
    G. O’Clock, M. Duffy, Appl. Phys. Lett. 23, 55 (1973)Google Scholar
  339. 2.339.
    I. Oguzman, E. Bellotti, K. Brennan, J. Kolnik, R. Wang, P. Ruden, J. Appl. Phys. 81, 7827 (1997)Google Scholar
  340. 2.340.
    I. Oguzman, K. Brennan, J. Kolnik, R. Wang, P. Ruden, in MRS Symposium, vol. 395, 1st International Conference on Nitride Semiconductor, Boston, 1996, pp. 733–738Google Scholar
  341. 2.341.
    Y. Ohno, M. Kuzuhara, IEEE Trans. Electron Devices 48, 517 (2001)Google Scholar
  342. 2.342.
    K. Okamoto, H. Ohta, S. Chichibu, J. Ichihara, H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L187 (2007)Google Scholar
  343. 2.343.
    Y. Okamoto, Y. Ando, K. Hataya, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue, M. Kuzuhara, Electron. Lett. 39, 1474 (2003)Google Scholar
  344. 2.344.
    Y. Okamoto, Y. Ando, K. Hataya, T. Nakayama, H. Miyamoto, T. Inoue, M. Senda, K. Hirata, M. Kosaki, N. Shibata, M. Kuzuhura, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004 pp. 1351–1354Google Scholar
  345. 2.345.
    Y. Okamoto, Y. Ando, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue, M. Kuzuhara, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Philadelphia, 2003, pp. 225–228Google Scholar
  346. 2.346.
    Y. Okamoto, A. Wakejima, Y. Ando, T. Nakayama, K. Matsunaga, H. Miyamoto, Electron. Lett. 42, 283 (2006)Google Scholar
  347. 2.347.
    Y. Okamoto, A. Wakejima, K. Matsunaga, Y. Ando, T. Nakayama, K. Kasahara, K. Ota, Y. Murase, K. Yamanoguchi, T. Inoue, H. Miyamoto, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 491–494Google Scholar
  348. 2.348.
    S. O’Leary, B. Foutz, M. Shur, U. Bhapkar, L. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 826 (1998)Google Scholar
  349. 2.349.
    S. O’Leary, B. Foutz, M. Shur, U. Bhapkar, L. Eastman, Solid-State Commun. 105, 621 (1998)Google Scholar
  350. 2.350.
    J. Orton, C. Foxon, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. 8.5, pp. 300–305Google Scholar
  351. 2.351.
    J. Orton, C. Foxon, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. 8.4, pp. 294–299Google Scholar
  352. 2.352.
    K. Osamura, S. Naka, Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975)Google Scholar
  353. 2.353.
    C. Oxley, Solid-State Electron. 48, 1197 (2004)Google Scholar
  354. 2.354.
    T. Palacios, A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S. Keller, S. DenBaars, J. Speck, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 26, 781 (2005)Google Scholar
  355. 2.355.
    T. Palacios, N. Fichtenbaum, S. Keller, S. Denbaars, U. Mishra, in Device Research Conference, State College, PA, 2006, pp. 99–100Google Scholar
  356. 2.356.
    V. Palankovski, R. Quay, Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Springer, Wien New York, 2004)Google Scholar
  357. 2.357.
    V. Palankovski, S. Selberherr, in Proceedings of the European Conference on High Temperature Electronics, Berlin, 1999, pp. 25–28Google Scholar
  358. 2.358.
    V. Palankovski, S. Vitanov, R. Quay, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 107–110Google Scholar
  359. 2.359.
    J. Palmour, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 4–7Google Scholar
  360. 2.360.
    J. Palmour, A. Agarwal, S. Ryu, M. Das, J. Sumakeris, A. Powell, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 13.1Google Scholar
  361. 2.361.
    J. Palmour, J. Milligan, J. Henning, S. Allen, A. Ward, P. Parikh, R. Smith, A. Saxler, M. Moore, Y. Wu, in Proceedings of the European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Amsterdam, 2004, pp. 555–558Google Scholar
  362. 2.362.
    J. Palmour, S. Sheppard, R. Smith, S. Allen, W. Pribble, T. Smith, Z. Ring, J. Sumakeris, A. Saxler, J. Milligan, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 385–388Google Scholar
  363. 2.363.
    A. Panda, D. Pavlidis, E. Alekseev, IEEE Trans. Electron Devices 48, 820 (2001)Google Scholar
  364. 2.364.
    P. Parikh, Y. Wu, M. Moore, P. Chavarkar, U. Mishra, B. Neidhard, L. Kehias, T. Jenkins, in Lester Eastman Conference on Abstract Book, Newark, 2002, pp. 56–57Google Scholar
  365. 2.365.
    S. Pearton, C. Abernathy, B. Gila, F. Ren, J. Zavada, Y. Park, Solid-State Electron. 48, 1965 (2002)Google Scholar
  366. 2.366.
    R. Pierobon, S. Buso, M. Citron, G. Meneghesso, G. Spiazzi, E. Zanoni, in 11th Hetero Structure Technical Work, Padova, 2001, pp. 57–58Google Scholar
  367. 2.367.
    E. Piner, S. Singhal, P. Rajagopal, R. Therrien, J. Roberts, T. Li, A. Hanson, J. Johnson, I. Kizilyalli, K. Linthicum, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 411–414Google Scholar
  368. 2.368.
    A. Ping, Q. Chen, J. Yang, M. Khan, I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998)Google Scholar
  369. 2.369.
    J. Piprek (ed.), Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation (Wiley-VCH, Weinheim, 2007)Google Scholar
  370. 2.370.
    K. Ploog, O. Brandt, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1609 (1998)Google Scholar
  371. 2.371.
    A. Polian, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. 1.3, pp. 11–20Google Scholar
  372. 2.372.
    A. Polian, M. Grimsditch, I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996)Google Scholar
  373. 2.373.
    S. Pugh, D. Dugdale, S. Brand, R. Abram, J. Appl. Phys. 86, 3768 (1999)Google Scholar
  374. 2.374.
    D. Pulfrey, S. Fathpour, IEEE Trans. Electron Devices 48, 597 (2001)Google Scholar
  375. 2.375.
    R. Quay, K. Hess, R. Reuter, M. Schlechtweg, T. Grave, V. Palankovski, S. Selberherr, IEEE Trans. Electron Devices 48, 210 (2001)Google Scholar
  376. 2.376.
    R. Quay, R. Kiefer, F. van Raay, H. Massler, S. Ramberger, S. Müller, M. Dammann, M. Mikulla, M. Schlechtweg, G. Weimann, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2002, pp. 673–676Google Scholar
  377. 2.377.
    R. Quay, A. Tessmann, R. Kiefer, R. Weber, F. van Raay, M. Kuri, M. Riessle, H. Massler, S. Müller, M. Schlechtweg, G. Weimann, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 567–570Google Scholar
  378. 2.378.
    R. Quay, F. van Raay, A. Tessmann, R. Kiefer, M. Dammann, M. Mikulla, M. Schlechtweg, G. Weimann, in Proceedings WOCSDICE, Venice, 2007, pp. 349–352Google Scholar
  379. 2.379.
    S. Rajan, H. Xing, S. DenBaars, U. Mishra, D. Jena, Appl. Phys. Lett. 84 1591 (2004)Google Scholar
  380. 2.380.
    M. Ramonas, A. Matulionis, L. Rota, Semicond. Sci. Technol. 18, 219 (2003)Google Scholar
  381. 2.381.
    R. Reeber, K. Wang, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 3 (2001)Google Scholar
  382. 2.382.
    F. Ren, C. Abernathy, J.V. Hove, P. Chow, R. Hickman, J. Klaasen, R. Kopf, H. Cho, K. Jung, J.L. Roche, R. Wilson, J. Han, R. Shul, A. Baca, S. Pearton, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 41 (1998)Google Scholar
  383. 2.383.
    F. Ren, J. Han, R. Hickman, J.V. Hove, P. Chow, J. Klaasen, J. LaRoche, K. Jung, H. Cho, X. Cao, S. Donovan, R. Kopf, R. Wilson, A. Baca, R. Shul, L. Zhang, C. Willison, C. Abernathy, S. Pearton, Solid-State Electron. 44, 239 (2000)Google Scholar
  384. 2.384.
    M. Rosker, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 13–16Google Scholar
  385. 2.385.
    M. Rosker, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 1.2Google Scholar
  386. 2.386.
    M. Rosker, in IEEE RF IC Symposium Digest, Honolulu, 2007, pp. 159–162Google Scholar
  387. 2.387.
    P. Roussel, Comp. Semicond. 9, 20 (2003)Google Scholar
  388. 2.388.
    T. Ruemenapp, D. Peier, in 11th International Symposium on High-Voltage Engineering, London, 1999, pp. 4.373–4.376Google Scholar
  389. 2.389.
    P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (eds.), Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device (Wiley-VCH, Weinheim, 2003)Google Scholar
  390. 2.390.
    P. Ruterana, A. Sanchez, G. Nouet, in Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley-VCH, Weinheim, 2003), Chap. 8, pp. 379–438Google Scholar
  391. 2.391.
    F. Sacconi, A.D. Carlo, H. Morkoc, IEEE Trans. Electron Devices 48, 450 (2001)Google Scholar
  392. 2.392.
    F. Sacconi, A. Di Carlo, F. Della Sala, P. Lugli, in Proceedings of the European GaAs Related Compounds on Application Symposium GAAS, Paris, 2000, pp. 620–623Google Scholar
  393. 2.393.
    T. Sadi, R. Kelsall, N. Pilgrim, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2892 (2006)Google Scholar
  394. 2.394.
    W. Saito, M. Kuraguchi, Y. Takada, K. Tsuda, T. Domon, I. Omura, M. Yamaguchi, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 586–589Google Scholar
  395. 2.395.
    W. Saito, I. Omura, T. Domon, K. Tsuda, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 253–256Google Scholar
  396. 2.396.
    W. Saito, I. Omura, T. Ogura, H. Ohashi, Solid-State Electron. 48, 1555 (2004)Google Scholar
  397. 2.397.
    W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, T. Ogura, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 587–590Google Scholar
  398. 2.398.
    W. Saito, M. Kuraguchi, Y. Takada, K. Tsuda, Y. Saito, I. Omura, M. Yamaguchi, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 869–873Google Scholar
  399. 2.399.
    R. Sandhu, M. Wojtowicz, I. Smorchkova, M. Barsky, R. Tsai, J. Yang, H. Wang, M. Khan, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2002, pp. 27–28Google Scholar
  400. 2.400.
    B. Santic, Semicond. Sci. Technol. 18, 219 (2003)Google Scholar
  401. 2.401.
    P. Saunier, in Proceedings of European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Amsterdam, 2004, pp. 543–546Google Scholar
  402. 2.402.
    J. Schalwig, G. Müller, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann, Sensors Actuators B 87, 425 (2002)Google Scholar
  403. 2.403.
    L. Schowalter, S. Schujman, W. Liu, M. Goorsky, M. Wood, J. Granusky, F. Shahedipour-Sandvik, Phys. Stat. Sol. A 203, 1667 (2006)Google Scholar
  404. 2.404.
    L. Schowalter, G. Slack, J. Whitlock, K. Morgan, S. Schujman, B. Raghothamachar, M. Dudley, K. Evans, Phys. Stat. Sol. C 0, 1997 (2003)Google Scholar
  405. 2.405.
    M. Seelmann-Eggebert, P. Meisen, F. Schaudel, P. Koidl, A. Vescan, H. Leier, in Proceedings Diamond, Porto, 2000, pp. 744–749Google Scholar
  406. 2.406.
    S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Springer, Wien New York, 1984)Google Scholar
  407. 2.407.
    Sensor Electronic Technologies, SET Wins Contract for Device R&D on AlN. Comp. Semicond. 8, (2004)Google Scholar
  408. 2.408.
    C. Sevik, C. Bulutay, Semicond. Sci. Technol. 19, S188 (2004)Google Scholar
  409. 2.409.
    P. Shah, D. Smith, T. Griffin, K. Jones, S. Sheppard, IEEE Trans. Electron Devices 47, 308 (2000)Google Scholar
  410. 2.410.
    W. Shan, J. Ager, K. Yu, W. Walukiewicz, E. Haller, M. Martin, W. McKinney, W. Yang, J. Appl. Phys. 85, 8505 (1999)Google Scholar
  411. 2.411.
    A. Shanware, J. McPherson, M. Visokay, J. Chambers, A. Rotondaro, H. Bu, M. Bevan, R. Khamankar, L. Colombo, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 137–140Google Scholar
  412. 2.412.
    J. Shealy, J. Smart, M. Poulton, R. Sadler, D. Grider, S. Gibb, B. Hosse, B. Sousa, D. Halchin, V. Steel, P. Garber, P. Wilkerson, B. Zaroff, J. Dick, T. Mercier, J. Bonaker, M. Hamilton, C. Greer, M. Isenhour, in GaAs IC Symposium Technical Digest, Monterey, 2002, pp. 243–246Google Scholar
  413. 2.413.
    B. Shelton, D. Lambert, J. Huang, M. Wong, U. Chowdhury, T. Zhu, H. Kwon, Z. Weber, M. Benarama, M. Feng, R. Dupuis, IEEE Trans. Electron Devices 48, 490 (2001)Google Scholar
  414. 2.414.
    L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N. Zhang, D. Buttari, I. Smorchkova, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001)Google Scholar
  415. 2.415.
    K. Shenai, R. Scott, B. Baliga, IEEE Trans. Electron Devices 36, 1811 (1989)Google Scholar
  416. 2.416.
    S. Sheppard, K. Doverspike, W. Pribble, S. Allen, J. Palmour, L. Kehias, T. Jenkins, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999)Google Scholar
  417. 2.417.
    J. Sheu et al., J. Phys. Condens. Mater. 14, R657 (2002)Google Scholar
  418. 2.418.
    M. Shin, R. Trew, Electron. Lett. 31, 498 (1995)Google Scholar
  419. 2.419.
    M. Shur, GaAs Devices and Circuits (Plenum, New York, 1987)Google Scholar
  420. 2.420.
    M. Shur, A. Bykhovski, R. Gaska, Solid-State Electron. 44, 205 (2000)Google Scholar
  421. 2.421.
    M. Shur, R. Gaska, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 137–140Google Scholar
  422. 2.422.
    M. Shur, M. Khan, MRS Bulletin 22, 44 (1997)Google Scholar
  423. 2.423.
    E. Sichel, J. Pankove, J. Phys. Chem. Solids 38, 333 (1977)Google Scholar
  424. 2.424.
    SiCrystal AG, Silicon Carbide Product Specification (2004), http://www. sicrystal.comGoogle Scholar
  425. 2.425.
    G. Simin, X. Hu, A. Tarakji, J. Zhang, A. Koudymov, S. Saygi, J. Yang, A. Khan, M. Shur, R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 40, L1142 (2001)Google Scholar
  426. 2.426.
    G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. Zhang, J. Yang, M. Khan, X., A. Tarakji, R. Gaska, M. Shur, IEEE Electron Device Lett. 23, 458 (2002)Google Scholar
  427. 2.427.
    R. Singh, J. Cooper, M. Melloch, T. Chow, J. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices 49, 665 (2002)Google Scholar
  428. 2.428.
    G. Slack, R. Tanzilli, R. Pohl, J. Vandersande, J. Phys. Chem. Solids 48, 641 (1987)Google Scholar
  429. 2.429.
    L. Smith, R. Davis, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 10.3, pp. 288–292Google Scholar
  430. 2.430.
    I. Smorchkova, M. Wojtowicz, R. Sandhu, R. Tsai, M. Barsky, C. Namba, P. Liu, R. Dia, M. Truong, D. Ko, J. Wang, A. Khan, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 51, 665 (2003)Google Scholar
  431. 2.431.
    I. Smorchkova, M. Wojtowicz, R. Sandhu, R. Tsai, M. Barsky, C. Namba, P. Liu, R. Dia, M. Truong, D. Ko, J. Wang, A. Khan, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 17.5.1–17.5.3Google Scholar
  432. 2.432.
    J. Song, D. Leem, S. Kim, J. Kwak, O. Nam, Y. Park, T. Seong, Solid-State Electron. 48, 1597 (2004)Google Scholar
  433. 2.433.
    M. Spencer, J. Palmour, C. Carter, IEEE Trans. Electron Devices 49, 940 (2002)Google Scholar
  434. 2.434.
    G. Spiazzi, S. Buso, M. Citron, M. Corradin, R. Pierobon, IEEE Trans. Power Electron. 18, 1249 (2003)Google Scholar
  435. 2.435.
    D. Storm, D. Katzer, S. Binari, B. Shanabrook, X. Xu, D. McVey, R. Vaudo, G. Brandes, Electron. Lett. 40, 1226 (2004)Google Scholar
  436. 2.436.
    D. Streit, A. Guitierrez-Aitken, M. Wojtowicz, R. Lai, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 5–8Google Scholar
  437. 2.437.
    S. Strite, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 9.5, pp. 272–275Google Scholar
  438. 2.438.
    C. Suh, Y. Dora, N. Fichtenbaum, L. McCarthy, S. Keller, U. Mishra, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 911–913Google Scholar
  439. 2.439.
    G. Sullivan, M. Chen, J. Higgins, J. Yang, Q. Chen, R. Pierson, B. McDermott, IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998)Google Scholar
  440. 2.440.
    K. Sundaram, M. Deen, W. Brown, R. Sah, E. Poindexter, D. Misra (ed.), Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films (Electrochemical Society, 1999)Google Scholar
  441. 2.441.
    M. Suzuki, T. Uenoyama, A. Yanase, Phys. Rev. B 52, 8132 (1995)Google Scholar
  442. 2.442.
    M. Suzuki, T. Uenoyama, A. Yanase, Phys. Rev. B 58, 10064 (1998)Google Scholar
  443. 2.443.
    S. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn. (Wiley, New York, 1981)Google Scholar
  444. 2.444.
    K. Takagi, K. Masuda, Y. Kashiwabara, H. Sakurai, K. Matsushita, S. Takatsuka, H. Kawasaki, Y. Takada, K. Tsuda, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 265–268Google Scholar
  445. 2.445.
    H. Takaya, K. Miyagi, K. Hamada, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 923–927Google Scholar
  446. 2.446.
    T. Tanaka, Y. Koji, T. Meguro, Y. Otoki, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 295–298Google Scholar
  447. 2.447.
    O. Tang, K. Duh, S. Liu, P. Smith, W. Kopp, T. Rogers, D. Richard, in GaAs IC Symposium Technical Digest, Orlando, 1996, pp. 115–118Google Scholar
  448. 2.448.
    T. Taniguchi, J. Tanaka, O. Mishima, T. Ohsawa, S. Yamaoka, Appl. Phys. Lett. 62, 576 (1993)Google Scholar
  449. 2.449.
    T. Tansley, in Properties of Group III Nitrides, No. 11 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar (IEE INSPEC, London, 1994), Sect. 1.5, pp. 35–40Google Scholar
  450. 2.450.
    T. Tansley, C. Foley, J. Appl. Phys. 59, 3241 (1986)Google Scholar
  451. 2.451.
    T. Tansley, E. Goldys, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), pp. 123–128Google Scholar
  452. 2.452.
    T. Tansley, E. Goldys, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. 4.5, pp. 135–136Google Scholar
  453. 2.453.
    T. Tansley, E. Goldys, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. 4.4, pp. 129–134Google Scholar
  454. 2.454.
    F. Temcamani, P. Pouvil, O. Noblanc, C. Brylinski, P. Bannelier, B. Darges, J. Prigent, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Phoenix, 2001, pp. 641–644Google Scholar
  455. 2.455.
    D. Theron, C. Gaquiere, J. de Jaeger, S. Delage, in Proceedings of the European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Amsterdam, 2004, pp. 547–550Google Scholar
  456. 2.456.
    R. Therrien, S. Singhal, W. Nagy, J. Marquart, A. Chaudhari, K. Linthicum, J. Johnson, A. Hanson, J. Riddle, P. Rajagapol, B. Preskenis, O. Zhitova, J. Williamson, I. Kizilyalli, in IEEE International Microwave Symposium Digest, San Francisco, 2006, pp. 710–713Google Scholar
  457. 2.457.
    V. Tilak, B. Green, V. Kaper, H. Kim, T. Prunty, J. Smart, J. Shealy, L. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 22, 504 (2001)Google Scholar
  458. 2.458.
    V. Tilak, K. Matocha, P. Sandvik, Phys. Stat. Sol. A 3, 548 (2006)Google Scholar
  459. 2.459.
    N. Tipirneni, A. Koudymov, V. Adivaharan, J. Yang, G. Simin, M. Khan, IEEE Electron Device Lett. 27, 716 (2006)Google Scholar
  460. 2.460.
    L. Tolbert, B. Ozpinecci, S. Islam, M. Chinthavali, in IASTED International Conference on Power and Energy Systems, Palm Springs, 2003, pp. 317–321Google Scholar
  461. 2.461.
    A. Tomchenko, G. Harmer, B. Marquis, J. Allen, Sensors Actuators B 93, 126 (2003)Google Scholar
  462. 2.462.
    R. Trew, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 1811–1814Google Scholar
  463. 2.463.
    R. Trew, Proc. IEEE 90, 1032 (2002)Google Scholar
  464. 2.464.
    R. Trew, IEEE Trans. Electron Devices 52, 638 (2005)Google Scholar
  465. 2.465.
    R. Trew, M. Shin, V. Gatto, Solid-State Electron. 41, 1561 (1997)Google Scholar
  466. 2.466.
    Triquint Semiconductor, Advanced Product Information TGA2505 (2006), http://www.triquint.comGoogle Scholar
  467. 2.467.
    Triquint Semiconductors, Triquint Semiconductor and Lockheed Martin Announce Advanced Gallium Nitride Process with Improved Power, Efficiency, Stability (2003), http://www.triquint.com/investors/press/ dspPressRelease.cfm?pressid=174Google Scholar
  468. 2.468.
    Triquint Semiconductors, 6.5 Watt Ku Band Power Amplifier (2004), http://www.triquint.comGoogle Scholar
  469. 2.469.
    D. Ueda, T. Murata, M. Hikita, S. Nakazawa, M. Kuroda, H. Ishida, M. Yanagihara, K. Inoue, T. Ueda, Y. Uemoto, T. Tanaka, T. Egawa, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 377–380Google Scholar
  470. 2.470.
    H. Ueda, M. Suimoto, T. Uesugi, T. Kachi, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Vancouver, 2006, pp. 37–41Google Scholar
  471. 2.471.
    Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, D. Ueda, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 907–910Google Scholar
  472. 2.472.
    Y. Uemoto, D. Shibata, M. Yanagihara, H. Ishida, H. Matsuo, S. Nagai, N. Batta, M. Li, T. Ueda, T. Tanaka, D. Ueda, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 861–864Google Scholar
  473. 2.473.
    N. Ui, S. Sano, in IEEE International Microwave Symposium Digest, San Francisco, 2006, pp. 718–721Google Scholar
  474. 2.474.
    United Monolithic Semiconductors, Data sheet: 7–13 GHz Low Noise Amplifier (2000), http://www.ums-gaas.comGoogle Scholar
  475. 2.475.
    C. van de Walle, J. Neugebauer, C. Stampfl, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. 8.1, pp. 275–280Google Scholar
  476. 2.476.
    F. van Raay, R. Quay, R. Kiefer, H. Walcher, O. Kappeler, M. Seelmann-Eggebert, S. Müller, M. Schlechtweg, G. Weimann, in Proceedings of the European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS 2005, Paris, pp 373 - 376Google Scholar
  477. 2.477.
    T. Veal, P. Jefferson, L. Piper, C. McConville, T. Joyce, P. Chalker, L. Considine, H. Lu, W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 89, 202110 (2006)Google Scholar
  478. 2.478.
    N. Vellas, C. Gaquiere, Y. Guhel, M. Werquin, D. Ducatteau, B. Boudart, J. Jaeger, Z. Bougrioua, M. Germain, M. Leys, S. Borghs, in Proceedings of the European GaAs Related Compound Application Symposium on GAAS, Milano, 2002, pp. 25–28Google Scholar
  479. 2.479.
    A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, A. Schurr, H. Leier, E. Piner, J. Redwing, Electron. Lett. 36, 1234 (2000)Google Scholar
  480. 2.480.
    R. Vetury, PhD thesis, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 2000Google Scholar
  481. 2.481.
    R. Vetury, J. Shealy, D. Green, J. McKenna, J. Brown, S. Gibb, K. Leverich, P. Garber, M. Poulton, in IEEE International Microwave Symposium Digest, San Francisco, 2006, pp. 714–717Google Scholar
  482. 2.482.
    R. Vetury, Y. Wei, D. Green, S. Gibb, T. Mercier, K. Leverich, P. Garber, M. Poulton, J. Shealy, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 487–490Google Scholar
  483. 2.483.
    R. Vetury, N. Zhang, S. Keller, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001)Google Scholar
  484. 2.484.
    F. Villard, J. Pringent, E. Morvan, C. Dua, C. Brylinski, F. Temcamani, P. Pouvil, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 51, 1129 (2003)Google Scholar
  485. 2.485.
    I. Vurgaftman, J. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003)Google Scholar
  486. 2.486.
    I. Vurgaftman, J. Meyer, L. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001)Google Scholar
  487. 2.487.
    A. Wakejima, K. Matsunaga, Y. Okamoto, Y. Ando, T. Nakayama, T. Kasahara, H. Miyamoto, Electron. Lett. 41, 1004 (2005)Google Scholar
  488. 2.488.
    A. Wakejima, K. Matsunaga, Y. Okamoto, Y. Ando, T. Nakayama, H. Miyamoto, Electron. Lett. 41, 1371 (2005)Google Scholar
  489. 2.489.
    D. Walker, X. Zhang, A. Saxler, P. Kung, J. Xu, M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 70, 949 (1997)Google Scholar
  490. 2.490.
    C. Wang, L. Yu, S. Lau, E. Yu, W. Kim, A. Botchkarev, H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 72, 1211 (1998)Google Scholar
  491. 2.491.
    K. Watanabe, T. Taniguchi, H. Kanda, Phys. Stat. Sol. A 201, 2561 (2004)Google Scholar
  492. 2.492.
    M. Weber, L. Tirino, K. Brennan, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2202 (2003)Google Scholar
  493. 2.493.
    N. Weimann, L. Eastman, D. Doppalapudi, H. Ng, T. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998)Google Scholar
  494. 2.494.
    C. Weitzel, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 1998, pp. 51–54Google Scholar
  495. 2.495.
    C. Weitzel, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 285–288Google Scholar
  496. 2.496.
    R. Wentorf, J. Chem. Phys. 36, 1990 (1994)Google Scholar
  497. 2.497.
    R. Wentzcovitch, K. Chang, M. Cohen, Phys. Rev. B 34, 1071 (1986)Google Scholar
  498. 2.498.
    C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amago, I. Akasaki, Phys. Rev. B 61, 2159 (2000)Google Scholar
  499. 2.499.
    C. Wood, D. Jena (eds.), Polarization Effects in Semiconductors (Springer, New York, 2008)Google Scholar
  500. 2.500.
    M. Wraback, H. Shen, J. Carrano, T. Li, J. Camphell, M. Schurman, I. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 76, 1155 (2000)Google Scholar
  501. 2.501.
    J. Wu, W. Walukiewicz, K. Yu, J. Ager, E. Haller, H. Lu, W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002)Google Scholar
  502. 2.502.
    Y. Wu, Dissertation, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 1997Google Scholar
  503. 2.503.
    Y.-F. Wu, S. Wood, R. Smith, S. Sheppard, S.T. Allen, P. Parikh, J. Milligan, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 419–421Google Scholar
  504. 2.504.
    Y. Wu, D. Kapolnek, J. Ibbetson, P. Parikh, B. Keller, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 586 (2001)Google Scholar
  505. 2.505.
    Y. Wu, B. Keller, P. Fini, J. Pusl, M. Le, N. Nguyen, C. Nguyen, D. Widman, S. Keller, S. Denbaars, U. Mishra, Electron. Lett. 33, 1742 (1997)Google Scholar
  506. 2.506.
    Y. Wu, B. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. Denbaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 17, 455 (1996)Google Scholar
  507. 2.507.
    Y. Wu, B. Keller, S. Keller, N. Nguyen, M. Le, C. Nguyen, T. Jenkins, L. Kehias, S. Denbaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997)Google Scholar
  508. 2.508.
    Y. Wu, M. Moore, A. Saxler, T. Wisleder, U.K. Mishra, P. Parikh, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 583–585Google Scholar
  509. 2.509.
    Y. Wu, M. Moore, A. Abrahamsen, M. Jacob-Mitos, P. Parikh, S. Heikman, A. Burk, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 405–408Google Scholar
  510. 2.510.
    Y. Wu, M. Moore, A. Saxler, P. Smith, P. Chavarkar, P. Parikh, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 579–581Google Scholar
  511. 2.511.
    Y. Wu, M. Moore, A. Saxler, T. Wisleder, P. Parikh, in Device Research Conference, State College, PA, 2006, pp. 151–152Google Scholar
  512. 2.512.
    Y. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. Smith, S. Sheppard, P. Chavarkar, T. Wisleder, U. Mishra, P. Parikh, IEEE Electron Device Lett. 25, 117 (2004)Google Scholar
  513. 2.513.
    H. Xing, P. Chavarkar, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 24, 141 (2003)Google Scholar
  514. 2.514.
    H. Xing, D. Jena, M. Rodwell, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 24, 4 (2003)Google Scholar
  515. 2.515.
    H. Xu, C. Sanabria, A. Chini, S. Keller, U. Mishra, R. York, IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 14, 262 (2004)Google Scholar
  516. 2.516.
    I. Yaacov, Y. Seck, U. Mishra, S. DenBaars, J. Appl. Phys. 95, 2073 (2004)Google Scholar
  517. 2.517.
    S. Yamakawa, S. Aboud, M. Saraniti, S. Goodnick, Semicond. Sci. Technol. 19, S475 (2004)Google Scholar
  518. 2.518.
    T. Yamamoto, E. Mitani, K. Inoue, M. Nishi, S. Sano, in Proceedings of the European Microwave Integrated Circuits Conference Munich, 2007, pp 173–175Google Scholar
  519. 2.519.
    K. Yamanaka, K. Iyomasa, H. Ohtsuka, M. Nakayama, Y. Tsuyama, T. Kunii, Y. Kano, T. Takagi, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 241–244Google Scholar
  520. 2.520.
    K. Yamanaka, K. Mori, K. Iyomasa, H. Ohtsuka, M. Nakayama, Y. Kamo, Y. Isota, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Honolulu, 2007, pp. 1251–1254Google Scholar
  521. 2.521.
    H. Ye, G. Wicks, P. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 74, 711 (1999)Google Scholar
  522. 2.522.
    Y. Yeo, T. Chong, M. Li, J. Appl. Phys. 83, 1429 (1996)Google Scholar
  523. 2.523.
    Y. Yeo, T. Chong, M. Li, W. Fan, J. Appl. Phys. 84, 1813 (1998)Google Scholar
  524. 2.524.
    I. Yonenaga, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7, 6 (2002)Google Scholar
  525. 2.525.
    E. Yu, G. Sullivan, P. Asbeck, C. Wang, D. Qiao, S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997)Google Scholar
  526. 2.526.
    H. Yu, L. McCarthy, S. Rajan, S. Keller, S. DenBaars, J. Speck, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 26, 283 (2005)Google Scholar
  527. 2.527.
    T. Yu, K. Brennan, IEEE Trans. Electron Devices 50, 315 (2003)Google Scholar
  528. 2.528.
    A. Zhang, L. Rowland, E. Kaminsky, J. Kretchmer, V. Tilak, A. Allen, B. Edward, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Philadelphia, 2003, pp. 251–254Google Scholar
  529. 2.529.
    A. Zhang, L. Rowland, E. Kaminsky, J. Tucker, R. Beaupre, J. Kretchmer, J. Garrett, A. Vertiatchikh, G. Koley, H. Cha, A. Allen, J. Cook, J. Foppes, B. Edward, J. Electron. Mater.32 437 (2003)Google Scholar
  530. 2.530.
    H. Zhang, E. Miller, E. Yu, C. Poblenz, J. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 4644 (2004)Google Scholar
  531. 2.531.
    L. Zhang, L. Lester, A. Baca, R. Shul, P. Chang, C. Wilson, U. Mishra, S. DenBaars, J. Zolper, IEEE Trans. Electron Devices 47, 507 (2000)Google Scholar
  532. 2.532.
    F. Zhao, I. Perez-Wurfl, H. Chih-Fang, J. Torvik, B. Zeghbroek, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 2035–2038Google Scholar
  533. 2.533.
    B. Zhou, K. Butcher, X. Li, T. Tansley, Solid-State Electron. 41, (1997)Google Scholar
  534. 2.534.
    T. Zimmermann, M. Neuburger, M. Kunze, I. Daumiller, A. Denisenko, A. Dadgar, A. Krost, E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 25, 450 (2004)Google Scholar
  535. 2.535.
    J. Zolper, Wide Bandgap Semiconductor RF Electronics Technology, MTO Industry Briefing, Sept. 2001 http://www.compoundsemiconductor.net/cws/article/magazine/11332Google Scholar

Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2008

Personalised recommendations