Reinigung beim Erstarren einer Schmelze

Zusammenfassung

Das von Pfann 1952 für die Höchstreinigung von Germanium entwickelte Zonenreinigungsverfahren besitzt heute für die Reinstdarstellung von Halbleitereinkristallen die größte Bedeutung. Verunreinigungen, die bei der Vorreinigung nicht erfaßt werden, können mit diesem Verfahren meist erheblich reduziert werden. Das Verfahren beruht darauf, daß die Löslichkeit eines Fremdstoffes in einem Halbleitermaterial in der flüssigen und festen Phase im allgemeinen unterschiedlich ist. Eine schmale geschmolzene Zone (Bild 3) wird langsam durch den Halbleiter bewegt.