Zusammenfassung
Entwickler elektronischer Schaltungen greifen auf Schaltungssimulationsprogramme zurück, die das Verhalten einer Schaltung mit großer Genauigkeit voraussagen. Schaltungssimulationsprogramme lösen die Netzwerkgleichungen, die ein System bestehend aus gewöhnlichen Differentialgleichungen und algebraischen Gleichungen (DAE — Differential Algebraic Equations) bilden, mit numerischen Methoden. Die DAE resultieren aus den Kirchhoffschen Regeln und aus Gleichungen oder Gleichungssystemen, die das Klemmenverhalten der Netzwerkkomponenten (Transistoren, Dioden, Widerstände, Kapazitäten, Induktivitäten, etc.) beschreiben. Die Gleichungen oder Gleichungssysteme der Netzwerkkomponenten bilden gleichsam ein mathematisches Modell der jeweiligen Komponente.
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Literatur
- [1.1]Berkner, J.: Kompaktmodelle für Bipolartransistoren. Expert Verlag, Renningen, 2002Google Scholar
- [1.2]Beaufy, R; Sparkes, J.J.: The Junction Transistor a Charge Controlled Device, ATE J., 13, Oct. 1957, pp. 310–324Google Scholar
- [1.3]Gummel, H.K., Poon, H.С.: An Integral Charge Control Model of Bipolar Transistors. Bell Tech. J., May-June 1970Google Scholar
- [1.4]Taur, Y., Ning, Т.Н.: Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge University Press, 1998Google Scholar
- [1.5]Sze, S.M.: Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, 1981Google Scholar
- [1.6]Hoffmann, K: VLSI-Entwurf. R. Oldenbourg Verlag, 1993Google Scholar
- [1.7]Baker, R.J., Li, H.W., Boyce, D.E.: CMOS Circuit Design. Layout, and Simulation, IEEE Press, 1998Google Scholar
- [1.8]Muller, R.S., Kamins, T.I.: Device Electronics for Integrated Circuits. John Wiley and Sons, 1986Google Scholar
- [1.9]Till, W.C., Luxon, J.T.: Integrated Circuits: Materials, Devices, and Fabrication. Prentice Hall, 1982Google Scholar
- [1.10]Liou, J.J., Ortiz-Conde, A., Garcia-Sanchez, F.: Analysis and Design of MOSFETs. Kluwer Academic Publisher, 1998CrossRefGoogle Scholar
- [1.11]Gray, P.R., Meyer, R.G.: Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. John Wiley and Sons, 1993Google Scholar
- [1.12]Cheng, Y., Hu, Ch.: MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide. Kluwer Academic Publisher, 1999Google Scholar
- [1.13]Neamen, D.A.: Electronic Circuit Analysis and Design, Irwin, 1996Google Scholar
- [1.14]Engl, W.L. (ed.): Process and Device Modelling. North-Holland, 1985Google Scholar
- [1.15]Neamen, D.A., Semiconductor Physics & Devices. Irwin, 1997Google Scholar
- [1.16]Johns, D.A., Martin, K.: Analog integrated circuit design. John Wiley & Sons, New York, 1997Google Scholar
- [1.17]Möschwitzer, A., Lunze, K.: Halbleiterelektronik. Verlag Technik, Berlin, 1988Google Scholar
- [1.18]Tsividis, Y.: Operation and Modelling of the MOS Transistor. McGraw-Hill, New York, 1987Google Scholar
- [1.19]Roulston, D.: Semiconductor Devices. McGraw-Hill, New York, 1990Google Scholar
- [1.20]Antognetti, P., Massobrio, G.: Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill, New York, 1988Google Scholar
- [1.21]Getreu, I.: Modelling of the Bipolar Transistor. Elsevier, Amsterdam, 1978Google Scholar
Links
- [1.22]http://www.ansoft.com, SIMPLORER 6 SV
- [1.23]http://www.cadence.com, PSpice, V9.1
- [1.24]http://www.linear.com, LTSpice
- [1.25]http://www.pspice.com, Spice-Modelle