LEPECVD — A Production Technique for SiGe MOSFETs and MODFETs

  • D. Chrastina
  • B. Rössner
  • G. Isella
  • H. von Känel
  • J. P. Hague
  • T. Hackbarth
  • H. -J. Herzog
  • K. -H. Hieber
  • U. König
Part of the Engineering Materials and Processes book series (EMP)


Hole Mobility SiGe Layer Mobility Spectrum Thread Dislocation Density Channel Mobility 
These keywords were added by machine and not by the authors. This process is experimental and the keywords may be updated as the learning algorithm improves.


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Copyright information

© Springer-Verlag London Limited 2005

Authors and Affiliations

  • D. Chrastina
    • 1
  • B. Rössner
    • 1
  • G. Isella
    • 1
  • H. von Känel
    • 1
  • J. P. Hague
    • 2
  • T. Hackbarth
    • 3
  • H. -J. Herzog
    • 3
  • K. -H. Hieber
    • 3
  • U. König
    • 3
  1. 1.INFM and L-NESS Dipartimento di FisicaPolitecnico di MilanoComoItaly
  2. 2.Department of Physics & AstronomyUniversity of LeicesterLeicesterUK
  3. 3.Research and TechnologyDaimlerChrysler AGUlmGermany

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