Zusammenfassung
Gegenstand dieses Kapitels sind die unterschiedlichen Grundschaltungen für Verstärker mit Bipolar- und Feldeffekttransistor. Im einzelnen werden die Emitter-, Kollektor- und Basisschaltung sowie die Source- Gate- und Drainschaltung untersucht und hinsichtlich ihrer wichtigsten Eigenschaften wie Spannungsverstärkung, Ein- und Ausgangswiderstand verglichen.
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Göbel, H. (2019). Transistorgrundschaltungen. In: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik. Springer Vieweg, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-56563-6_7
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Publisher Name: Springer Vieweg, Berlin, Heidelberg
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