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Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

  • Ulrich Hilleringmann

Table of contents

  1. Front Matter
    Pages I-XI
  2. Ulrich Hilleringmann
    Pages 1-4
  3. Ulrich Hilleringmann
    Pages 5-20
  4. Ulrich Hilleringmann
    Pages 21-31
  5. Ulrich Hilleringmann
    Pages 33-55
  6. Ulrich Hilleringmann
    Pages 57-76
  7. Ulrich Hilleringmann
    Pages 77-98
  8. Ulrich Hilleringmann
    Pages 99-116
  9. Ulrich Hilleringmann
    Pages 117-132
  10. Ulrich Hilleringmann
    Pages 133-141
  11. Ulrich Hilleringmann
    Pages 143-167
  12. Ulrich Hilleringmann
    Pages 169-206
  13. Ulrich Hilleringmann
    Pages 207-216
  14. Ulrich Hilleringmann
    Pages 217-236
  15. Back Matter
    Pages 237-263

About this book

Introduction

Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.

Der Inhalt
Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen

Die Zielgruppen
- Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik
- Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler

Der Autor
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.

Keywords

10 nm Anforderung Anwender Atomic Ausstattungen Bipolar-Technologie Bipolarschaltung Bipolartechnik Chip Chipherstellung Depositionsverfahren Dielektrika Dielektrikum Dotiertechnik Dotiertechniken Dotierung Dotierungstechnik Dotierungstechniken Dotierungstechnologie Dotierungstechnologien Einzelprozess Entwicklung Halbleiter Halbleiter Halbleitertechnologie Hardware Herstellung High-k-Dielektrikum Höchstintegration Implantation Integration Integrationstechniken Integrationstechniker Layer Lithografie MOS MOS-Schaltung MOS-Technologie MOS-Technologien Messtechnik Metallisierung Mikroelektronik Montage Montagetechnik Montagetechnologie Nanometer Naturwissenschaft Optische Lithografie Oxidationen PECVD PECVD-Abscheidung Physik Physiker Prozess Prozesse Prüfung R&D Rohsilizium Schaltung Schaltungen Sensoren Sensorik Silizium Silizium-Halbleitertechnologie Siliziumscheibe Siliziumscheiben Strukturgröße Systeme Technologie Verfahren bipolar development dotiert elektronisch integriert mikro mikroelektronisch reproduzierbar technisch Ätzschritt Ätztechnologie Struktur

Authors and affiliations

  • Ulrich Hilleringmann
    • 1
  1. 1.Fakultät Elektrotechnik, InformatikUniversität PaderbornPaderbornGermany

Bibliographic information