Ionenimplantation

  • Heiner Ryssel
  • Ingolf Ruge

Table of contents

  1. Front Matter
    Pages 1-10
  2. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 11-14
  3. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 15-39
  4. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 40-103
  5. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 104-136
  6. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 137-192
  7. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 193-252
  8. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 253-284
  9. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 285-300
  10. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 301-343
  11. Heiner Ryssel, Ingolf Ruge
    Pages 344-360
  12. Back Matter
    Pages 361-366

About this book

Introduction

In den letzten Jahren erschienen bereits mehrere Bücher zum Thema Ionenimplanta­ tion, die sich fast ausschließlich an auf dem Gebiet der Ionenimplantation tätige Wissenschaftler wenden und deshalb der Theorie einen sehr breiten Raum einräumen. Im Gegensatz hierzu wendet sich das vorliegende Werk weniger an den Implanta­ tionsfachmann, sondern mehr an Forscher und Entwickler in Industrie, F or­ schungslaboratorien und Hochschulen, die an der Ionenimplantation als neuem Hilfsmittel zur Veränderung von Materialeigenschaften interessiert sind und wissen wollen, ob die Ionenimplantation für ihr Problem anwendbar ist. Bei einer solchen Ausrichtung muß deshalb nach unserer Meinung neben einem kurzen Abriß der theoretischen Grundlagen vor allem die Behandlung von Problemen bei der Anwendung der Implantation im Vordergrund der Darstellung stehen, wovon hier zum Beispiel genannt seien die elektrische Aktivierung implantierter Ionen, Diffusionseffekte sowie die Diskussion der hauptsächlich verwendeten Meß­ methoden zur Untersuchung implantierter Schichten, die apparativen Anforderungen an Beschleunigungssysteme und natürlich zahlreiche Beispiele zur Anwendung der Ionenimplantation. Die Schwerpunkte des Buches liegen bei der Dotierung von Halbleitern durch Ionenimplantation, da dies zur Zeit und wahrscheinlich noch sehr lange ihre Hauptanwendung sein wird; dennoch wird von Fall zu Fall auf die weiteren Möglich­ keiten der Implantation eingegangen.

Keywords

Aluminium Dotierung Energie Halbleiter Halbleiterbauelement Industrie Reaktor Systeme Verfahren Werkstoff

Authors and affiliations

  • Heiner Ryssel
    • 1
  • Ingolf Ruge
    • 2
  1. 1.Institut für Festkörper-TechnologieFraunhofer-GesellschaftMünchenDeutschland
  2. 2.Fraunhofer-GesellschaftTechnischen Universität München sowie Institut für Festkörper-TechnologieMünchenDeutschland

Bibliographic information

  • DOI https://doi.org/10.1007/978-3-663-05668-3
  • Copyright Information Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Wiesbaden 1978
  • Publisher Name Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
  • eBook Packages Springer Book Archive
  • Print ISBN 978-3-519-03206-9
  • Online ISBN 978-3-663-05668-3
  • About this book