Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente

  • Jörg Schulze
Book
Part of the Halbleiter-Elektronik book series (HALBLEITER, volume 23)

About this book

Introduction

Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte.

Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial, das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden, und untersucht die Relevanz, die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS-Technologie erlangen können.

Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.

Keywords

Bauelement CMOS Einzelelektronentransistor Feldeffekttransistor Frequenz Hochfrequenz Leistung Leistungs-MOSFET Leistungselektronik Leistungsfeldeffekttransistor MOSFET Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ROM Silizium Transistor

Authors and affiliations

  • Jörg Schulze
    • 1
  1. 1.Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für PhysikUniversität der Bundeswehr MünchenNeubiberg

Bibliographic information

  • DOI https://doi.org/10.1007/3-540-27547-9
  • Copyright Information Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2005
  • Publisher Name Springer, Berlin, Heidelberg
  • eBook Packages Computer Science and Engineering (German Language)
  • Print ISBN 978-3-540-23437-1
  • Online ISBN 978-3-540-27547-3
  • Series Print ISSN 0172-5882