Zur Entwicklung von kornwachstumsstabilisierten Tantaldrähten

Zusammenfassung

Dünne Tantaldrähte werden zur Herstellung von elektrischen Tantalkondensatoren verwendet. Während des Einsinterns des Drahtes in die Tantalanoden kann es zu unerwünschter Kornvergröberung kommen, die zu einer Versprödung führt. Das Ziel der vorliegenden Untersuchungen war es, durch geeignetes Mikrolegieren mit Silizium und Yttrium die Tantalkorngrenzen zu stabilisieren, so dass nach der Herstellung des Bauteils eine feinkörnige Mikrostruktur vorliegt. Zur Charakterisierung wurden neben klassischer Metallographie auch Methoden wie Transmissionselektronenmikroskopie und Neutronenkleinwinkelstreuung eingesetzt.

Abstract

Fine tantalum wires are needed for tantalum capacitors. During fabrication of such components the wires are exposed to high temperatures and thus grain growth combined with embrittlement becomes a major problem. In the present work the effects of doping with varying amounts of silicon and yttrium on the microstructure and mechanical properties were investigated. Doping with elements which form nanometer to submicron sized oxide or silicide particles is an appropriate way to prevent uncontrolled grain growth and, therefore, to prevent embrittlement. To study the microstructure, classical metallography as well as small-angle neutron scattering and transmission electron microscopy have been applied.