Исследование процесса декорирования тонких кристаллов

Abstract

Разработана техника декорирования, при которой в электронном микроскопе наблюдаются одновременно декорирующие частицы и тонкий кристалл, на котором они расположены. Указаны новые приложения метода декорирования для изучения структуры конденсированных пленок:

• 1. Декорирование позволяет контрастировать контуры островков в дискретных пленках, что облегчает определение их размера и конфигурации.

• 2. В сплошных пленках методом декорирования выявляются границы зерен, что важно для образцов, толщина которых мала для создания отчетливого дифракционного контраста.

• 3. Для кристаллов, поверхность которых является ступенчатой, выявление ступеней роста путем декорирования позволяет построить профиль поверхности и оценить толщину с точностью до мономолекулярного слоя.

Предложена методика совместного применения метода декорирования и муара вращения, позволяющая наиболее полно оценить поверхностную и внутреннюю структуру пленки.

Abstract

A technique of vacuum decoration has been developed which enables the simultaneous electron microscopic observation of a crystal and the decorating particles on its surface. Among the fields of application of this technique are:

• 1) Use of decoration to increase the contrast of the contours of crystalline films and thereby facilitate the determination of their shape and size.

• 2) Observation of grain boundaries in continuous films in cases where the film thickness is not sufficient to give a suitable diffraction contrast.

• 3) Visualization of step-structure surfaces and in this way estimation of film thickness to an accuracy of the height of a single step.

The simultaneous application of the rotation moire pattern technique and vacuum decoration permits thorough investigation of the internal and surface structure of films. Lattice defects of thin films which result in selective nucleation have already been investigated as well as the possibility and experimental conditions of decorating dislocations, dislocation networks and large-angle grain boundaries.