Skip to main content
SpringerLink
Log in

On the theory of galvanomagnetic effects in semiconductors with anisotropic scattering

К теории гальваномагнитных явлений с анизотропным рассеянием

  • Published:
Acta Physica Academiae Scientiarum Hungaricae

Abstract

In this work the galvanomagnetic coefficients are determined for the case of anisotropic scattering. The scattering anisotropy is described by introducing a relaxation time tensor into the scattering term of the Boltzmann equation. A power series solution of the Boltzmann equation is given according to the powers of the magnetic field for the case when the surfaces of constant energy are ellipsoids. The transport (galvanomagnetic) coefficients are determined for the multiple ellipsoidal energy valley model of semiconductors. This model describes the transport effects inn-type Ge and Si.

Резюме

В данной работе определяются гальваномагнитные коэффициенты для анизотропного рассеяния носителей тока. Анизотропия рассеяния описывается введением тензора времени релаксации в член столкновения кинетического уравнения. Решение кинетического уравнения дается в виде разложения по степеням магнитного поля в случае изоэнергетических поверхностей описываемых эллипсоидами. Гальваномагнитные коэффициенты определяются для полупроводников, зона проводимости которых описывается несколькими эквивалентными эллипсоидами. Эту модель можно применять для германия и кремнияn-типа.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this article

Log in via an institution

Price excludes VAT (USA)
Tax calculation will be finalised during checkout.

Instant access to the full article PDF.

Institutional subscriptions

Similar content being viewed by others

References

  1. C. Herring andE. Vogt, Phys. Rev.,101, 943, 1956.

    Article  ADS  Google Scholar 

  2. А. Г. Самойлович, И. Я. Коренблит, И. В. Даховский, В. Д. Искра, ФТТ,3, 2939, 1961.

    Google Scholar 

  3. I. Ya., Korenblit, Sov. Phys. Sol. State,2, 2738, 1961.

    Google Scholar 

  4. S. Zukotynski andM. Grynberg, phys. stat. sol.,9, 549, 1965.

    Article  Google Scholar 

  5. U. Hübner, Zs. f. Naturforschung,22a, 2086, 1967.

    ADS  Google Scholar 

  6. J. M. Ziman, Electrons and Phonons, Clarendon Press, Oxford, 1960.

    MATH  Google Scholar 

  7. L. Davis, Phys. Rev.,56, 93, 1939.

    Article  MATH  ADS  Google Scholar 

  8. B. Abeles andS. Meiboom, Phys. Rev.,95, 31, 1954.

    Article  MATH  ADS  Google Scholar 

  9. Б. Пёдёр, ФТП,2, 884, 1968.

    Google Scholar 

  10. J. Balázs andB. Pődör phys. stat. sol.,37, 119, 1970.

    Article  Google Scholar 

Download references

Author information

Authors and Affiliations

  1. Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest

    J. Balázs & B. Pődör

Authors
  1. J. Balázs
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

  2. B. Pődör
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

Rights and permissions

Reprints and permissions

About this article

Cite this article

Balázs, J., Pődör, B. On the theory of galvanomagnetic effects in semiconductors with anisotropic scattering. Acta Physica 29, 35–44 (1970). https://doi.org/10.1007/BF03157883

Download citation

  • Received:

  • Issue Date:

  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF03157883

Keywords

Search

Navigation