Messmethoden zur Charakterisierung von Mikrowellenleistungstransistoren

Zusammenfassung

Zum treffsicheren Entwurf von Mikrowellenleistungsverstärkern ist es unumgänglich, das physikalische Verhalten der verwendeten Bauelemente möglichst genau und vollständig zu kennen. Besonderes Augenmerk ist dabei auf das zentrale Element dieser Schaltungen, den Leistungstransistor, zu legen, der durch seine nichtlinearen Eigenschaften das Verhalten des endgültigen Verstärkers wesentlich beeinflusst. Dieser Artikel zeigt im Überblick aktuelle Methoden zur messtechnischen Erfassung dieser Eigenschaften. Im Weiteren wird ein Messystem vorgestellt, mit dem das Verhalten eines Leistungstransistors in einem Frequenzbereich von 30 kHz bis 8,7 GHz bei Biasströmen bis zu 7,5 A unter Berücksichtigung der Eigenerwärmung ermittelt werden kann.

Abstract

For first try designs of microwave power amplifiers it is necessary to know the entire physical behaviour of the used components with high accuracy. The attention should be directed especially to the center component of these circuits, the power transistor, whose nonlinear characteristics have an essential impact on the behavior of the whole amplifier. This article gives an overview of current methods of measurement for microwave power transistor characterization. Furthermore a measurement system is presented, capable of characterizing microwave power transistors within a frequency range from 30 kHz to 8.7 GHz at bias current up to 7.5 A including self heating effects.