Некоторые вопросы, относящиеся к выращиванию монокристаллов полупроводников, их структуре и свойствам

Abstract

Была исследована термическая устойчивость некоторых полупроводников типа A^IIIB^V — AlSb, GaSb, InSb — и Ge измерением вязкости их расплава. Соответствующие кривые свободной энергии обладают минимумом, который — повидимому свидетельствует об изменении координационного числа, приближаясь таким образом к структуре кристаллической фазы. Даны важнейшие условия монокристаллического роста, на основе которых описан модифицированный вариант метода Чохральского. В конце изложена связь между некоторыми структурно-чувствительными свойствами и структурой монокристаллов.

Summary

Thermal stability of someA ^III B ^V type semiconducting alloys — AlSb, GaSb, InSb and Ge — is investigated by viscosity measurements in their molten phase. The corresponding free-energy-curves possess a minimum possibly indicating a change in the coordination-number, approaching in this manner the structure of the crystallized phase. Conditions of monocrystalline growth are given and based on it, a modified version of the Czochralski method is described. Finally the connection between some structure-sensitive properties of crystals and their homogenity is discussed.