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Amplificateur en hyperfréquences a large bande utilisant des éléments a résistance négative

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Annales des Télécommunications Aims and scope Submit manuscript

Sommaire

Après avoir rappelé, dans l’introduction, les différents moyens utilisés pour amplifier une onde électromagnétique, l’auteur donne une théorie de l’amplification à large bande par la synthèse de quadripôles actifs. L’application de la transformée de Laplace sur les équations de Kirchoft relatives à un tel quadripôle utilisant des diodes tunnel comme éléments actifs, permet de déterminer d’autre part la stabilité donnée par les conditions de Routh. Le jacteur de bruit est calculé en tenant compte du bruit de jonction des diodes tunnel et du bruit thermique des éléments résistants. L’étude de la distortion non linéaire du quadripôle actif est faite en assimilant la caractéristique de la diode tunnel à une série entière et le gain se déduit par une décomposition en série de Fourier. On donne le gain, la stabilité, l’impédance d’entrée d’un amplificateur constitué parn quadripôles actifs disposés en cascade et équivalent à un amplificateur à diodes tunnel réparties. La réalisation d’un quadripôle actif permet de vérifier dans la bande des fréquences de0,2 à 2 GHz, les résultats théoriques. L’utilisation de tels amplificateurs à large bande, en particulier leur éventuelle mise en cascade. est liée aux développements technologiques des diodes tunnels, et aux développements futurs des éléments non réciproques à large bande comme les isolateurs ou circulateurs.

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Abbreviations

A o :

Impédance série dans la chaîne den quadripôles actifs.

a :

Impédance ou admittance.

a′ :

Impédance ou admittance réduite.

a o :

Résistance ou conductance réduite négative ou positive.

B o :

Impédance parallèle dans la chaîne de n quadripôles actifs.

b :

Admittance ou impédance.

b′ :

Admittance ou impédance réduite.

b o :

Conductance ou résistance réduite toujours négative.

C :

Capacité de jonction de la diode tunnel.

C o :

Capacité de compensation de la diode tunnel et faisant partie du quadripôleQ 1.

C 1 :

Capacité du système de polarisation.

C 2 :

Capacité dans le montage de mesure de la caractéristique statique de la diode.

E :

Tension instantanée du générateur hyperfréquence.

E o :

Amplitude crête deE.

e :

Charge élémentaire.

F o :

Fréquence supérieure de la bande passante de l’amplificateur.

F :

Facteur de bruit.

f :

Fréquence.

f r :

Fréquence de résonance de la diode tunnel.

GHz:

Fréquence exprimée en 109 cycles par seconde.

G :

Conductance négative instantanée de la diode tunnel

G o :

Conductance négative de la diode tunnel pour la polarisation Vo.

Gi ou (Gi)1:

Gain d’insertion en tension d’un quadripôle actif.

Gt ou (Gt)1:

Gain de transfert en tension d’un quadripôle actif.

(G i)n :

Gain d’insertion en tension pourn quadripôles actifs.

(G t)n :

Gain de transfert en tension pourn quadripôles actifs.

I i :

Tranformée de Laplace du courant instantanéi i.

i i :

Courant i instantané dans les mailles ou branches du réseau.

i o :

Courant de polarisation de la diode tunnel.

J :

Intégrales.

i :

Courant instantané de fonctionnement de la diode.

j :

Nombre imaginaire de module égal à 1 et d’argument égal à π/2.

k :

Constante de Boltzman.

l :

Self inductance parasite de la diode tunnel.

M :

Partie réelle du coefficient de transfert.

m :

Taux d’ondes stationnaires.

N :

Partie imaginaire du coefficient de transfert.

n :

Nombre de quadripoles actifs disposés en cascade.

p :

Pulsation complexep=jω.

Q 1 :

Quadripôle de compensation.

Q 2 :

Quadripôle réactif doué de propriétés sélectives.

R :

Résistance réelle de charge ou d’impédance interne de générateur.

Authors

Additional information

Thêse de Doctoral ès-Sciences présentée le 7 juin 1963 devant la Faculté des sciences de l’Université de Paris.

Ingénieur au service Antennes du Groupement G de la C. S. F.

(à suivre).

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Dubost, G. Amplificateur en hyperfréquences a large bande utilisant des éléments a résistance négative. Ann. Télécommun. 18, 106–120 (1963). https://doi.org/10.1007/BF03011329

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF03011329

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