Résumé
Cet article analyse les possibilités des amplificateurs de puissance à diode à avalanche et temps de transit dans les bandes de fréquences dites X (5,2 – 11GHz) et Q (26–40GHz) en vue de l’intégration de ces dispositifs dans les systèmes de télécommunication. Cette analyse s’appuie sur une étude à la fois théorique et expérimentale de l’influence des paramètres du composant et des conditions de fonctionnement sur les principales caractéristiques de l’amplificateur: gain, bande passante, linéarité, conversion entre modulation d’amplitude et de phase, variations du temps de propagation de groupe, puissances de sortie. Elle permet de dégager dans ce sens les conditions nécessaires à l’obtention de caractéristiques maximales pour un amplificateur à diode à avalanche et temps de transit fonctionnant tant en régime à moyenne puissance qu’à forte puissance. Cette étude indique de plus les méthodes, voire les compromis d’ordre pratique visant à satisfaire les exigences notamment des amplificateurs de télécommunication. Les caractéristiques intéressantes dans les bandes X et Q permettent d’augurer très favorablement de leur utilisation dans des systèmes.
Abstract
In this paper, the IMPATT amplifier possibilities for use in Telecommunication systems are analysed in both X (5,2–11GHz) and Q ( 26–40GHz) bands. This analysis is devoted to a theoretical as well as experimental study of the influence of both diode parameters and operating conditions on the principal amplifier characteristics: gain, bandwidth, linearity, AM-to-PM conversion, group delay variations, output power. This allows to put forward the necessary conditions in order to obtain optimum Impatt amplifier characteristics when operated under moderate or high power conditions. Furthermore, this study suggests methods or practical compromises in order to meet the required specifications for Telecommunication amplifiers. The interesting performances achieved in both X and Q bands will enable Impatt amplifiers to be used in various systems.
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Doumbia, I., de Jaeger, J.C. & Salmer, G. Amplificateurs hyperfréquences utilisant des diodes a avalanche et temps de transit pour application en télécommunication. Ann. Télécommunic. 31, 373–386 (1976). https://doi.org/10.1007/BF03004224
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF03004224