Mesure des caractéristiques des structures MOS et Schottky sur silicium

Résumé

Ces caractérisations exploitent la mesure en régime de petits signaux et à la fréquence de 1 MHz de la capacité de structures MOS et d’une jonction métal/semiconducteur polarisée en inverse. Cet exercice permet de caractériser des paramètres du silicium (type, dopage), de l’oxyde de silicium (épaisseur, densité de charges) et de l’interface oxyde silicium (densité d’états d’interface). Dans cet article, l’auteur présente le déroulement du TP et le corrigé du questionnaire proposé.

Abstract

These characterizations concernMOS structures and metal and semiconductor junctions (Schottky). They use high frequency (1 MHz) small signal measurement of the capitance of the structures versus gate voltage. From these measurements, we can extract properties of the silicon substrate (type, dopant concentration), of silicon oxide (thickness, charge density), of the silicon interface (surface state density). In this paper, we present the course of the experiment and the key to questionnaire.