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Conception, réalisation technologique et caractérisation d’un transistor MOS

Conception, technological fabrication and characterization of a MOS transistor

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Annales Des Télécommunications Aims and scope Submit manuscript

Résumé

Ce cycle de travaux pratiques est destiné à initier les étudiants des filières électroniques aux activités propres à la microélectronique par le suivi d’un transistorMOS de la conception technologique à la caractérisation é lectrique en passant par la fabrication du composant en salle blanche. L’ensemble de ce travail nécessite les moyens usuels d’un pôle lourd ou semi-lourd technologique : microordinateur type PC (Logabax, Olivetti, Micral, etc…) muni si possible d’un coprocesseur arithmétique, salle blanche équipée de moyens de photo-lithogravure, oxydation, diffusion ou implantation, dépôt d’aluminium (évaporation thermique), et d’un banc de mesures sous pointes avec traceurs de caractéristiques. Ce cycle peut se dérouler en une semaine complète (une quarantaine d’heures effectives environ) avec un groupe de 12 étudiants. L’encadrement doit être assuré par deux formateurs au minimum, trois pour un suivi plus confortable.

Abstract

This set of pratical training is intended for students of electronics formation who have to be initiated to microelectronic activities. It consists in technological conception, fabrication in cleanroom, and electrical characterization of aMOS transistor. This set needs the usual equipment of a «heavy» or «semi-heavy» microelectronics centre : microcomputers (PC such as Logabax/Olivetti, Micral, IBM, AST, etc…) equipped with an arithmetic coprocessor, clean-room equipped with photolithography, oxidation, diffusion or implantation, and aluminium deposition facilities, prober and characteristics analyser. This practice cycle may be hold in a complete week (about 40 hours) for a maximum of 12 students. Two instructors at least are needed, three to have a confortable training.

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Lhermite, H., Bonnaud, O. Conception, réalisation technologique et caractérisation d’un transistor MOS. Ann. Télécommun. 46, 471–475 (1991). https://doi.org/10.1007/BF02998684

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