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L’étude des semiconducteurs fortement dopés des microcircuits HF fait intervenir la diffusion solide-solide; l’auteur a été ainsi amené à étudier, au microscope électronique, l’évolution des couches de silice dopées et déposées par cracking, sur des supports monocristallins de silicium, ainsi que la nature des défauts créés dans le substrat au cours du cycle thermique que nécessite la diffusion du dopant dans le semiconducteur.
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Devaux, J., Henoc, P. Étude par Microscopie et Diffraction Électronique de Plaquettes de Silicium Diffusées au Phosphore. Ann. Telecommun. 25, 88–92 (1970). https://doi.org/10.1007/BF02997746
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF02997746