Sommaire
L’objet de cette étude est d’établir une théorie cohérente donnant les limites intrinsèques et pratiques en fréquence de fonctionnement et en produit fréquence par puissance de sortie des triodes à effet de champ. A cet effet, l’auteur analyse le mécanisme physique de leur fonctionnement dont il considère les trois étapes fondamentales et il en déduit les limitations recherchées des paramètres intrinsèques. L’introduction des éléments parasites conduit à déterminer les limitations pratiques. In fine,l’application au cas d’une structure anticipée du gridistor est fournie précisant les performances susceptibles d’être atteintes à longue échéance dans la gamme d’ondes millimétriques.
Similar content being viewed by others
Abbreviations
- v:
-
vitesse d’entraînement des porteurs
- v:
-
volume de la charge d’espace
- ic :
-
courant canal
- I ds :
-
courant continu drain-source
- I dss :
-
courant de drain pour une tension grillesource nulle
- vs :
-
tension alternative du signal
- V ds :
-
tension continue drain-source
- VDS sat :
-
tension de saturation drain-source
- V gs :
-
tension continue grille-source
- Vgs b :
-
tension de blocage de grille
- V(br)dg 0 :
-
tension de claquage drain-grille
- R0 :
-
résistance du canal pour V ds sat
- RpS :
-
résistance parasite-source
- Rpd :
-
résistance parasite-drain
- Rpg :
-
résistance parasite-grille
- Ctgs :
-
capacité totale grille-source
- Ctdg :
-
capacité totale drain-grille
- Cpdg :
-
capacité parasite drain-grille
- C Dg :
-
capacité drain-grille
- C DS :
-
capacité drain-source
- F m :
-
facteur de mérite
- G ma :
-
gain maximal effectivement exploitable
Bibliographie
Teszner (S.). Le Gridistor, successeur du tecnetron.Ann. Télécommunic., Fr. (juil.–août 1966),21, n∘ 7–8, pp. 157–168.
Teszner (S.). Gridistor development for the microwave power region (Développement du gridistor dans le domaine de puissance en hyperfréquences). (En cours de publication.)
Teszner (S.). Sur les nouvelles structures du tecnetron.Onde électr., Fr. (avril 1961), n∘ 409, pp. 307–320.
Teszner (S.) etGicquel (R.). Gridistor, a new field effect device (Le gridistor, un nouveau dispositif à effet de champ).Proc. I.E.E.E., U. S. A. (déc. 1964),52, n∘ 12, pp. 1502–1513.
Shockley (W.). A unipolar field-effect transistor (Un transistor à effet de champ unipolaire).Proc. I.R.E., U. S. A. (nov. 1952),40, n∘ 11, pp. 1365–1376.
Dacey (G. C.) etRoss (I. M.). The field-effect transistor (Le transistor à effet de champ).Bell Syst. techn. J., U.S.A., (nov. 1955),34, pp. 1149–1189.
Early (J. M.). Structure-determined gain-band product of junction triode transistors.Proc. I.R.E., U. S. A. (déc. 1958),46, n∘ 12, pp. 1924–1927.
Teszner (S.) etThue (M.). Le tecnetron—nouvelle étape de développement des dispositifs à semiconducteurs.Bull. Soc. Franç. Electr., Fr. (oct. 1958), vol. XIII, pp. 683–700.
Tango (H.) etNishizawa (J.). Potentiel, field and carrier distribution of junction field-effect transistors (Potentiel, champ et distribution des porteurs dans les transistors à jonction à effet de champ).Solid-State Electr., G. B. (févr. 1970),13, n∘ 2, pp. 129–152.
Van der Ziel (A.) etEro (J. W.). Small-signal, high-frequency theory of field-effect transistors, (Théorie à petits signaux à haute fréquence des transistors à effet de champ).I.E.E.E. Trans. ED (avril 1964),11, n∘ 4, pp. 128–135.
Rose (A.). An analysis of gain-bandwith limitations of solid-state (Une analyse des limitations du produit gain-bande des triodes à l’état solide).RCA Rev., U. S. A. (déc. 1963),XXIV, n∘ 4, pp. 627–640.
Johnson (E. O.). Physical limitations on frequency and power parameters of transistors (Limitations physiques des paramètres fréquence et puissance des transistors).RCA Review, U. S. A. (juin 1965),XXVI, n∘ 2, pp. 163–177.
Teszner (S.). Sur un nouveau mode d’amplification des tensions et puissances électriques.C.R. Acad. Sci., Fr. (janv. 1958), T.246, pp. 72–73.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Teszner, S. Sur les limites en fréquence et en puissance des triodes a effet de champ. Ann. Télécommun. 26, 303–314 (1971). https://doi.org/10.1007/BF02997535
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02997535