Résumé
La réalisation d’un banc de mesure automatique des parametres de bruit des transistors hyperfréquences est développée en deux parties : (i) une nouvelle méthode d’extraction des quatre paramètres de bruit à partir d’un ensemble de mesures de facteur de bruit a des adaptations différentes est décrite. La détermination expérimentale du bruit minimal n’est plus necessaire et la sensibilité vis-à-vis des incertitudes de mesure est tres faible. (ii) Un adaptateur d’entrée commandable possédant un grand nombre de positions etalonnees tres reproductibles est concu et realise. La derniére partie donne des exemples de caractérisation a large bande (de 8 à 17 GHz) deMesfet GaAs concus pour les circuits integres monolithiques lorsque l’adaptateur commandable et la méthode d’extraction sont utilises conjointement.
Abstract
An automatic noise parameter measurement test set is described in two sections : (i) A novel noise parameter extraction procedure from a set of noise figure measurements is developped. The experimental minimum noise figure is no longer required and the sensitivity to measurement incertainties is found to be very low. (ii) An automatic input tuner with a large number of precalibrated and reproducible positions is designed and realized. The last part give examples of broadband (8 to 17 GHz) noise parameters characterization ofmmic GaAsmesfets when both the automatic tuner and the extraction procedure are used.
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Chusseau, L., Parisot, M. & Jousseaume, N. Mesure automatique des paramétres de bruit des MESFET hyperfréquences. Ann. Télécommun. 43, 323–330 (1988). https://doi.org/10.1007/BF02995094
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF02995094
Mots clés
- Transistor effet champ barriere Schottky
- Transistor hyperfréquence
- Mesure automatique
- Dispositif faible bruit
- Facteur bruit
- Adaptation impédance
- Méthode mesure