Lifetimes of excited states in¹¹⁵In using a Ge(Li) detector

Summary

The half-lives of excited states in¹¹⁵In at 829 and 864 keV have been measured by the method of delayed coincidence between β-radiation, detected by a plastic scintillator, and the corresponding γ-radiation, detected by a high-resolution Ge(Li) detector. A half-life of (5.78±0.06) ns is uniquely assigned to the 829 keV level, and one of (0.91±0.03) ns to the 864 keV level, on the basis of three methods of data analysis.

Riassunto

Si sono misurati i tempi di dimezzamento degli stati eccitati nel¹¹⁵In a 829 e 864 keV col metodo della coincidenza ritardata fra la radiazione β, rivelata da uno scintillatore plastico, e la corrispondente radiazione γ, rivelata da un rivelatore Ge(Li) di alta risoluzione. Sulla base di tre metodi di analisi dei dati si è assegnato unicamente un tempo di dimenzzamento di (5.78±0.06) ns al livello di 829 keV, ed uno di (0.91±0.03) ns al livello di 864 keV.

Резюме

Были измерены времена полураспада возбужденных состояний¹¹⁵In при 829 и 864 кэВ с помощью метода запаздывающего совпадения между β-излучением, детектируемым пластмассовым сцинтиллятором, и соответствующим γ-излучением, детектируемым Ge(Li) детектором с высокой разрешающей способностью. На основе трех методов анализа полученных данных время полураспада (5.78±0.06) нсек однозначно приписывается уровню 829 кэВ и (0.91±0.03) нсек уровню 864 кэВ.