Criteria for thermal instability in semiconductors based on effective thermal time constant

Summary

Criteria for the appearance of thermal instability in experiments using semiconductor devices have been established for both the « lumped-temperature model » and the « distributed-temperature model ». An effective thermal time constant (τ_e) for both the models has been postulated which is largely dependent on the external-circuit parameters. In the case of the « distributed-temperature model », it has been found that τ_e is also a function of the various modes of temperature distribution, the fundamental mode being the most dominant one.

Riassunto

Sono stati stabiliti i criteri per la comparsa di instabilità termica in experimenti che usano semiconduttori, sia per « modelli di temperatura raggruppata » che per « modelli di temperatura sparpagliata ». È stata postulata una costante di tempo termica efficace (τ^e per entrambi i modelli che è ampiamente dipendente dai parametri dei circuiti esterni. Nel caso del « modello di temperatura sparpagliata », si è trovato cbe τ^e è anche una funzione dei vari modi di distribuzione della temperatura, il modo fondamentale essendo quello più dominante.