Summary
We investigate the energy levels of direct excitons in wurtzite-type materials taking into full account the anisotropy and the degeneracy of the valence bands together with the anisotropy of the dielectric tensor. We show that, after a proper similarity transformation of the exciton Hamiltonian, the problem can be solved by means of a method introduced for the case of direct and indirect excitons in cubic (diamond and zincblende) semiconductors. The binding energies of the 1s and 2s exciton states originating from the γ9,gG7, gG7 valence subbands are given by analytical expressions. Results are presented for CdS and CdSe and the agreement with available experimental data is good.
Riassunto
Si studiano i livclli di energia degli eccitoni diretti in materiali del tipo della wurtzitc tenendo pienamente conto dell’anisotropia o della degenerazione delle bande di valenza cd anche dell’anisotropia del tensore dielettrico. Si mostra ehe, dopo un’opportuna trasformazione di similarità dell’hamiltoniana dell’eccitone, si puÒ risolvere il problema col metodo introdotto per il caso degli eccitoni diretti ed indiretti in semiconduttori cubici (diamante e zincoblenda). Le energie di legame degli stati eccitonici Is e 2s che si originano dalle sottobande di valenza γ9, γ7, γ7 sono dato da espressioni analitiche. Si presentano risultati per CdS e CdSe e si ottiene un buon accordo con i dati sperimentali disponibili.
РЕжУМЕ
Мы ИсслЕДУЕМ ЁНЕРгЕт ИЧЕскИЕ УРОВНИ ЁксИтОНОВ В МАтЕРИАл Ах тИпА ВУРтцИтА, пОлНОстьУ У ЧИтыВАь АНИжОтРОпИУ И ВыРОжДЕННОсть ВАлЕН тНых жОН, ВМЕстЕ с АНИжОтРОпИЕ И ДИЁлЕктРИЧЕскОгО т ЕНжОРА. Мы пОкАжыВАЕМ, ЧтО пОслЕ НАДлЕжАЩЕгО пРЕОБРАжОВАНИь пОДО БИь ЁксИтОННОгО гАМИ льтОНИАНА, ЁтА пРОБлЕМА МОжЕт Быть РЕшЕНА, Исп ОльжУь МЕтОД, пРЕДлОж ЕННыИ Дль слУЧАь пРьМых И НЕпРь Мых ЁксИтОНОВ В кУБИЧЕск Их (АлМАж И цИНкОВАь ОБ МАНкА) пОлУпРОВОДНИкАх. пРИ ВОДьтсь АНАлИтИЧЕскИЕ ВыРАж ЕНИь Дль ЁНЕРгИИ сВьж И 1s И 2s ЁксИтОННых сОстОьНИ И, ВОжНИкАУЩИх Иж г9, г7, г7 ВАлЕНтНых сУ БжОН. пРИВОДьтсь РЕжУ льтАты Дль CdS И CdSe, кОтОРыЕ хОРОшО сОглА сУУтсь с ИМЕУЩИМИсь ЁкспЕРИМЕНтАльНыМИ ДАННыМИ.
Similar content being viewed by others
References
B. Segall: inPhysics and Chemistry of II–VI Compounds, edited byM. Aven andJ. Prener (Amsterdam, 1967), p. 1.
E. F. Gross andB. S. Razbirin:Sov. Phys. Tech. Phys.,2, 2014 (1957);E. F. Geoss,B. S. Razbiein andM. A. Iakobson:Sov. Phys. Tech. Phys.,2, 1043 (1957).
D. Dutton:Phys. Rev.,112, 785 (1958).
D. G. Thomas andJ. J. Hopfield:Phys. Rev.,116, 573 (1959).
D. W. Langer, Y. S. Park andE. N. Euwema:Phys. Rev.,152, 788 (1966);J. Dillirger, C. Konak, V. Prosser, J. Sak andM. Zwara:Phys. Stat. Sol.,29, 707 (1968);J. Conradi andE. E. Haering:Phys. Rev.,185, 1088 (1969).
M. L. Cohen andT. K. Bergstresser:Phys. Rev.,141, 789 (1966); see also review article byF. G. Bassani: inSemiconductors and Semimetals, edited byK. Willardson andA. Beer, Vol.1 (New York, 1966), p. 21.
R. C. Casella:Phys. Rev.,114, 1514 (1959).
E. S. Knox: inSolid State Physics, edited byP. Scitz andD. Turnbull, Suppl. 5 (New York, 1965).
J. Dresselhaus:Journ. Phys. Chem. Sol.,1, 14 (1956).
A. Baldereschi andN. O. Lipari:Phys. Rev. Lett.,25, 373 (1970);Phys. Rev. B,3, 439 (1971).
N. O. Lipari andA. Baldereschi:Phys. Rev. B,3, 313 (1971).
B. Segall andD. T. F. Marple : inPhysics and Chemistry of II-VI Compounds, edited byM. Aven andJ. Prener (Amsterdam, 1967), p. 317.
M. Balkanski andJ. Des Cloizeaux:Journ. Phys. Radium,21, 825 (1960);M. Cakdona:Journ. Phys. Chem. Sol.,24, 1543 (1963).
E. Jahne andE. Gutsche:Phys. Stat. Sol,21, 57 (1967).
Author information
Authors and Affiliations
Additional information
This work was supported in part by the Advanced Eesearch Projects Agency under Contract HC 15-67-C-0221.
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Lipari, N.O. Energy spectrum of direct excitons in wurtzite-type semiconductors. Nuov Cim B 8, 406–416 (1972). https://doi.org/10.1007/BF02743669
Received:
Published:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02743669