Measurements of low-frequency 1/f ^α noise in semiconductor polycrystalline thin films of PbTe

Summary

This work shows some experimental results concerning the flicker noise (1/f ^α) behaviour in semiconductor thin films of PbTe obtained by the radiofrequency sputtering technique in dependence of suitable annealing processes. Noise measurements have been carried out, before and after annealing, at a temperature close to 78.8 K, where infra-red detectors, made by this material, usually work. Further, results relative to the following structures: Au-PbTe-Au and In-PbTe-In, are given and discussed.

Riassunto

In questo lavoro si presentano e discutono alcuni risultati sperimentali relativi alla variazione del rumore in eccesso (1/f ^α) rilevata in film sottili semiconduttori di PbTe ottenuti tramite sputtering a radiofrequenza in conseguenza di opportuni trattamenti termici. Le misure di rumore sono state eseguite, prima e dopo i trattamenti termici, alla temperatura di 78.8 K, temperatura alla quale i rivelatori fotoconduttivi per l'infrarosso fatti con tale materials normalmente lavorano. Le strutture utilizzate e confrontate sono del tipo Au-PbTe-Au e In-PbTe-In.

Резюме

В работе приводятся и обсуждаются некоторые экспериментальные результаты, относящиеся к изменению шума 1/f ^α в полупроводниковых тонких пленках PbTe, полученных с помощью радиочастотной техники напыления, в зависимости от соответствующих процессов отжига. Измерения шума проводятся до и после отжига при темпертуре близкой к 78.8 К, при которой обычно работают инфракрасные детекторы, сделанные из такого материала. Приводятся и обсуждаются редультаты, относящиеся с следующнм структурам: Au-PbTe-Au и In-PbTe-In.