Branching ratio of α and β emissions from²¹²Bi (ThC)

Summary

Semiconductor counters, which have good efficiency and energy resolution have been used to measure the branching ratio with increased precision. The measurement was made as usual by comparison of the intensity of the low-energy (<7 MeV) alphas coming directly from the²¹²Bi with that of the high-energy (>7 MeV) alphas coming from the²¹²Po that is produced by the β-decay of the²¹²Bi. The average of 8 runs gaveα/(α+β)=0.358±0.001.

Riassunto

Per misurare il rapporto di branching con maggior precisione, abbiamo usato contatori a semiconduttori, che hanno buona efficienza e buona risoluzione energentica. La misura venne eseguita col metodo usuale di confrontare l’intensità delle particelleα di bassa energia (<7 MeV), provenienti direttamente dal²¹²Bi, con quella delle particelleα di alta energia (>7 MeV), provenienti dal²¹²Po, che si produce nel decadimento β del²¹²Bi. La media di otto misurazioni diedeα/(α+β)=0.358±0.001.