Skip to main content
Log in

Far-infra-red cyclotron resonance in the inversion layer onp-Hg1−x Cd x Te

Время жизни относительно флуоресценции молекулы вблизи диффузной поверхности: Связь с поверхностными поляритонами

  • Published:
Il Nuovo Cimento B (1971-1996)

Summary

The inversion layer onp-Hg1−x Cd x Te has been investigated by means of far-infra-red cyclotron resonance. The surface inversion layer is naturally formed by exposing the sample to the atmosphere after etching for one or two days. Three subband absorption, peaks are observed both for the inversion layer formed by the applied electric field and for the naturally formed inversion layer.

Riassunto

Si è analizzato lo strato di inversione nelp-Hg1−x Cd x Te per mezzo della risonanza di ciclotrone nell’infrarosso lontano. Lo strato di inversione superficiale si forma naturalmente esponendo il campione all’atmosfera dopo attacco chimico prolungato per uno o due giorni. Si osservano tre picchi di assorbimento con sottobande sia per lo strato di inversione formato dal campo elettrico applicato che per lo strato di inversione naturalmente formato.

Резюме

С помощью циклотронного резонанса в далекой инфракрасной области исследуется инверсионный слой наp-Hg1−x Cd x Te. Поверхностный инверсионный слой естественно образуется посредством экспонирования образца в атмосфере после травления один или два дня. Наблюдаются абсорбционные пики трех подзон для инверсионного слоя, образованного внешним электрическим полем, и для естественно образованного инверсионного слоя.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this article

Price excludes VAT (USA)
Tax calculation will be finalised during checkout.

Instant access to the full article PDF.

Similar content being viewed by others

Footnotes

  1. F. J. Ohkawa andY. Uemura:Journ. Phys. Soc. Japan,37, 1325 (1974).

    Article  ADS  Google Scholar 

  2. G. A. Antcliffe, R. T. Bate andR. A. Reynolds:Proceedings of the International Conference on the Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors (Dallas, Tex., 1971), p. 499.

  3. A. Daerr, J. P. Kotthaus andJ. F. Koch:Sol. State Comm.,17, 455 (1975).

    Article  ADS  Google Scholar 

  4. T. Kuroda andS. Narita:Journ. Phys. Soc. Japan,41, 709 (1976).

    Article  ADS  Google Scholar 

  5. T. Ando:Journ. Phys. Soc. Japan 38, 989 (1975).

    Article  ADS  Google Scholar 

  6. Y. Uemura:Proceedings of the International Conference on the Physics of Semiconductors (Stuttgart, 1974), p. 665.

  7. R. S. Kim andS. Narita:Phys. Stat. Sol.,73 (b), 741 (1976).

    Article  ADS  Google Scholar 

Download references

Author information

Authors and Affiliations

Authors

Additional information

Traduzione a cura della Redazione.

Перевебено ребакцией.

Rights and permissions

Reprints and permissions

About this article

Cite this article

Narita, S., Kuroda, T. Far-infra-red cyclotron resonance in the inversion layer onp-Hg1−x Cd x Te. Nuov Cim B 39, 834–839 (1977). https://doi.org/10.1007/BF02725832

Download citation

  • Received:

  • Published:

  • Issue Date:

  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF02725832

Navigation