Skip to main content
Log in

Soft-X-ray electroreflectance: Final-state effects on Si (2p) optical transitions

Техника электроотражения в области мягких рентгеновских лучей. Влияние конечного состояния на оптические переходы Si(2p)

  • Published:
Il Nuovo Cimento B (1971-1996)

Summary

Electric-field modulation techniques have been employed for the first time in the spectral region above 30 eV. A novel analog detection scheme is described which achieves sensitivities of 10−4 with the low-duty-cycle, pulsed synchrotron radiation source used. Application to the sharp SiL 2,3 edge at 99.9 eV yielded no detectable electroreflectance for 3·105V/cm modulation. We conclude that thep-core exciton, binding energy must be at least 300 meV, and thus its final state cannot be described by the previously employed effective-mass approximation. Photoemission and absorption measurements are presented to support this finding.

Riassunto

Tecniche di modulazione di campo elettrico sono state impiegate, per la prima volta, nella regione spettrale al di sopra di 30 eV. Si descrive un nuovo sistema analogico di rivelazione che raggiunge sensibilità di 10−4 con la sorgente di radiazione di sincrotrone che è impulsata con basso «duty-cycle». La tecnica è stata applicata alla stretta soglia di assorbimentoL 2,3 del Si a 99.9 eV. Non si sono osservati segnali di elettriflettanza nonostante una modulazione di 3·105V/cm. Si conclude che l’energia di legame dell’eccitonep profondo deve essere almeno 300 meV, e quindi il suo stato finale non può essere descritto dall’approssimazione della massa effettiva precedentemente impiegata. Si presentano misure di assorbimento e di fotoemissione a sostegno di questo risultato.

Резюме

Впервые техника модуляции электрического поля используется в спектральной области выше 30 эВ. Описывается схема детектирования, в которой достигается чувствительность 10−4, когда используется импульсный синхротронне источник излучения. Применение к резкому краю SiL 2,3 при 99,9 эВ дает ие детектируемое электроотражение для модуляции 3·105 В/см. Мы заключаем, что энергия связи для экситоновp-остова должна быть, по крайней мере, 300 мэВ. Таким образом, конечное состояние не может быть описано с помощью ранее использованного приближения эффективной массы. Приводятся результаты изме-рений по фотоэмиссии и поглощению.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this article

Price excludes VAT (USA)
Tax calculation will be finalised during checkout.

Instant access to the full article PDF.

Similar content being viewed by others

Footnotes

  1. See, for instance,M. Cardona:Modulation Spectroscopy (New York, N. Y., 1969); see also papers inModulation Techniques, edited byR. K. Willardson andA. C. Beer, Vol.9 (New York, N. Y., 1972).

  2. V. Rehn:Surf. Sci.,37, 443 (1973);D. E. Aspnes:Surf. Sci.,37, 418 (1973), and cited references.

    Article  ADS  Google Scholar 

  3. D. E. Aspnes andC. G. Olson:Phys. Rev. Lett.,33, 1605 (1974).

    Article  ADS  Google Scholar 

  4. D. E. Aspnes:Phys. Rev. Lett.,28, 913 (1972).

    Article  ADS  Google Scholar 

  5. F. C. Brown, R. Z. Bachrach, S. B. M. Hagstrom, N. Lien andC. H. Pruett: inVaccum Ultraviolet Radiation Physics, edited byL. Koch, R. Haensel andC. Kunz (New York, N. Y., 1975), p. 785.

  6. R. Z. Bachrach:Proceedings of International Workshop on the Development of Synchrotron Radiation Facilities, Quebec City, June 1976.

  7. R. Z. Bachrach, F. C. Brown andM. Skibowski:Bull. Amer. Phys. Soc.,20, 488 (1975);F. C. Brown, R. Z. Bachrach andM. Skibowski:Phys. Rev. B (to be published).

    Google Scholar 

  8. F. C. Brown andO. P. Rustgi:Phys. Rev. Lett.,28, 497 (1972);C. Gahwiller andF. C. Brown:Phys. Rev. B,2, 1918 (1970).

    Article  ADS  Google Scholar 

  9. M. Altarelli andD. S. Dexter:Phys. Rev. Lett.,29, 1100 (1972).

    Article  ADS  Google Scholar 

  10. S. T. Pantelides:Sol. State Comm.,16, 217 (1975).

    Article  ADS  Google Scholar 

  11. H. Fujita andY. Iguchi:Jap. Journ. Appl. Phys.,14, 220 (1975).

    Article  ADS  Google Scholar 

  12. D. F. Blossey:Phys. Rev. B,2, 3976 (1970);3, 1382 (1971);D. F. Blossey andP. Handler: inSemiconductors and Semimetals, p. 257.

    Article  ADS  Google Scholar 

  13. W. Gudat andC. Kunz:Phys. Rev. Lett.,29, 169 (1972).

    Article  ADS  Google Scholar 

  14. R. S. Bauer, R. Z. Bachrach, S. A. Flodstrom andJ. C. McMenamin:Journ. Vac. Sci. Technol.,14, 378 (1977).

    Article  ADS  Google Scholar 

Download references

Author information

Authors and Affiliations

Authors

Additional information

Traduzione a cura della Redazione.

Переведено редакцией.

Rights and permissions

Reprints and permissions

About this article

Cite this article

Bauer, R.S., Bachrach, R.Z., McMenamin, J.C. et al. Soft-X-ray electroreflectance: Final-state effects on Si (2p) optical transitions. Nuov Cim B 39, 409–416 (1977). https://doi.org/10.1007/BF02725767

Download citation

  • Received:

  • Published:

  • Issue Date:

  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF02725767

Navigation