The effect of pressure on the optical-absorption edge in SnS₂ and SnSe₂

Summary

We have measured the pressure effect on the optical-absorption edge in SnS₂ and SnSe₂ at 77 K and 273 K. We find the lowest band gap to be indirect (E _g) and a direct band gap (E ₀) at higher energy. The results can be interpreted to give values for the pressure coefficients forE _g andE ₀. We find the direct transition to be closer in energy to the indirect one than has previously been found.

Riassunto

Si è misurato l’effetto della pressione sullo spigolo di assorbimento ottico nel SnS₂ e SnS₂ a 77 K e 273 K. Si trova che la gap a più bassa energia (E _g) è di tipo indiretto mentre quella diretta (E ₀) è posta ad energia più alta. I risultati possono essere interpretati per dare i valori dei coefficienti di pressione perE _g edE ₀. Si trova che la transizione diretta è più vicina in energia a quella indiretta di quanto si era trovato precedentemente.

Резюме

Мы измерили влияние давления на край оптической полосы поглощения в SnS₂ и SnSe₂ при 77 К и 273 К. Мы получаем, что низшая ширина между зонами является непрямой (E _g), и находим прямую ширину между зонами (E ₀) при более высокой энергии. Интерпретация полученных результатов может дать значения коэффициентов давления дляE _g иE ₀. Мы получаем, что прямой переход оказывается ближе по энергии к непрямому переходу, чем было получено ранее.