Photovoltaic properties of GaSe and InSe junctions

Summary

Photovoltaic and photoelectronic properties of GaSe and InSe metal-semiconductor contacts are reported. The shape of the spectra, at room temperature, can be interpreted with reasonable values for diffusion length and junction depth. The variation of the spectra with pressure in GaSe and the shape of the low-energy tail in InSe are in concordance with the indirect nature of the lower energy gaps in both compounds. A comparison of these materials with other semiconductors for photovoltaic conversion purposes is given.

Riassunto

Si riportano le proprietà fotovoltaiche e fotoelettroniche nel GaSe e InSe utilizzando contatti metallo-semiconduttore. Si può interpretare la forma degli spettri a temperatura ambiente con valori ragionevoli per la lunghezza di diffusione e la profondità di giunzione. La variazione degli spettri con la pressione nel GaSe e la forma della coda a bassa energia nel InSe sono in accordo con la natura indiretta della gap a più bassa energia in entrambi i composti. Si fa un confronto di questi materiali con altri semiconduttori per scopi di conversione fotovoltaica.

Резюме

Рассматриваются фотогальванические и фотоэлектронные свойства контактов металл-полупроводник GaSe и InSe. Форма спектров при комнатной температуре может быть интерпретирована с помощью соответствующих величин для длины диффузии и глубины контактов. Изменение спектров с давлением в GaSe и форма низкоэнергетического хвоста в InSe согласуются с непрямой природой щелей при низких энергиях в обоих соединениях. Проводится сравнение этих материалов с друтими полупроводниками в целях использования фотогальва-нических преобразований.